芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2882
h9. Yux  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 uE#i3( J  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 p5nrPL  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: z5f3T D6,  
1、顶层设计 Yka>r9wr  
2仿真 VhgcvS@V  
3、热设计及功耗 d5W =?  
4、资源利用、速率与工艺 Pn}oSCo  
5、覆盖率要求 dTU`@!f  
6 ?/Aql_?3  
四、具体到测试有哪些需要关注: T(kG"dz   
1、可测试性设计 Ojp|/yd^YL  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 1Zp^X:(  
3、可靠性测试 s*>B"#En  
4、故障与测试关系 o|VM{5  
5 g3(?!f  
m?1AgsBR  
测试有效性保证; TfNm0=|  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? d\ Xijy  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 (rf8"T!"  
vrsOA@ee3H  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 p1\E C#Q  
晶圆的工艺参数监测dice 1lv. @-  
\#'m([<e  
xl@  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 E{B40E~4  
dM5N1$1,  
   }M(XHw  
故障种类: SYv5{bff =  
缺陷种类: !R$t>X  
针对性测试: SciEHI#  
+]# p m9  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test cvnRd.&  
RLF]Wa,  
`lE8dwL  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; Rd+ `b  
仿真与误差, &?SU3@3|  
n 预研阶段 Q"`J-#L  
n 顶层设计阶段 F[oTc^dr  
n 模块设计阶段 |+Ub3<b[]  
n 模块实现阶段 !r_2b! dy  
n 系统仿真阶段 r1xhplHH@  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 +q~dS.  
n 后端版面设计 h4? 'd+K  
n 测试矢量准备 +dK;\wT  
n 后端仿真 \;Q:a /ur9  
n 生产  f(*^zga,  
n 硅片测试 JwmH_nJ(  
顶层设计: 2NqO,B|R  
n 书写功能需求说明 !\1Pu|  
n 顶层结构必备项 +C9 l7 q  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 " [K>faV  
n 完成顶层结构设计说明 oOy_2fwZPp  
n 确定关键的模块(尽早开始) @EB2I+[  
n 确定需要的第三方IP模块 8|\?imOp\[  
n 选择开发组成员 ^y&sKO  
n 确定新的开发工具 Ceak8#|4  
n 确定开发流程/路线 LD)P. f  
n 讨论风险 AU^5N3%j  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 +,ojlTVlt  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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