芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2553
W1t_P&i  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 0uPcEpIA  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 lA;^c)  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: vv<\LN0  
1、顶层设计 8Q{9AoQ3'  
2仿真 P4c3kO0  
3、热设计及功耗 EM!S ;i  
4、资源利用、速率与工艺 NWQ7%~#k*  
5、覆盖率要求 4^4T#f2=e  
6  cz>)6#&O  
四、具体到测试有哪些需要关注: ko'V8r `V  
1、可测试性设计 _bg Zl  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 ! r/~D |  
3、可靠性测试 AN[pjC<  
4、故障与测试关系 cfg.&P>   
5 Kxeq Q@  
a|[f%T<<  
测试有效性保证; [;F!\B-  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? 2Ur&_c6 P  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 fQg^^ZXe"  
v)nv"o[  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 WX_g  
晶圆的工艺参数监测dice DB_oRr[oj  
m(kv:5<>  
3webAaO  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 ^^tTA^  
c'Z)uquvP  
   G{Ju2HY  
故障种类: {_$['D^az  
缺陷种类: QQS "K g  
针对性测试: Us pv^O9_  
/d Ua  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 9L4;#cy  
  uk,9N  
M 0RA&  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; xS+xUi  
仿真与误差, I69Z'}+qz  
n 预研阶段 MTgf.  
n 顶层设计阶段 D+jvF  
n 模块设计阶段 wc"~8Ah  
n 模块实现阶段 R$`&g@P="  
n 系统仿真阶段 XtBEVqrhi  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Az#kE.8b*A  
n 后端版面设计 rwh 4/h^S  
n 测试矢量准备 ?@`5^7*  
n 后端仿真 Nt?=0X|M  
n 生产 ;4/ n~  
n 硅片测试 9(vp`Z8B4  
顶层设计: +ek6}f#  
n 书写功能需求说明 5xNOIOpDB  
n 顶层结构必备项 3!QXzT$E  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 '}(Fj2P79  
n 完成顶层结构设计说明 ~ Hj c?*  
n 确定关键的模块(尽早开始) 6Rq +=X  
n 确定需要的第三方IP模块 aYHs35  
n 选择开发组成员 ^"vmIC.h  
n 确定新的开发工具 EUH9R8)  
n 确定开发流程/路线 w( @QRd{  
n 讨论风险 pI>GusXg  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 "@5{=  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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