芯片测试及晶圆测试

T5-50nU,~  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 PsEm(.z  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 V(=~p[  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 7cr+a4T33  
1、顶层设计 lK9us  
2、仿真 `{N0+n  
3、热设计及功耗 C"<l}  
4、资源利用、速率与工艺 d&wg\"E  
5、覆盖率要求 ,@khV  
6、 `w@fxv
 
四、具体到测试有哪些需要关注： G! zV=p  
1、可测试性设计 Zu_m$Mx  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 :upi2S_e  
3、可靠性测试 vXR-#MS`}  
4、故障与测试关系 3 {\b/NL$  
5、 vE>J@g2#  
8QE0J$d5  
测试有效性保证； &tj0Z:  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ Aw;~b&.U{_  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率  ;B^G<  
dum! AO  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 -F/"W  
晶圆的工艺参数监测dice， 6sRn_y  
Cl6y:21]K  
UVUbxFq:  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 +%7yJmMw  
a/NmM
)  
   \d&j`UVY  
故障种类： F6}Pwz[c  
缺陷种类： KY!  
针对性测试： I$n 0aR6  
q<@f3[A  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 14]!LgH  
9FP6Z[4  
?#<Fxme  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； fS>W-  
仿真与误差， KX"?3#U#Fm  
n 预研阶段 @rRBo:0%  
n 顶层设计阶段 #y&3`Nz3  
n 模块设计阶段 yXh=~:1~  
n 模块实现阶段 ivb&J4?y  
n 子系统仿真阶段 8ysU.5S  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 TF}<,aR  
n 后端版面设计 js^@tgf$x&  
n 测试矢量准备 d8C?m*3J  
n 后端仿真 YKJk)%;+w  
n 生产 U8c0N<j  
n 硅片测试 2Y(Phw2%  
顶层设计： e=o<yf9>Q  
n 书写功能需求说明 6|V713\  
n 顶层结构必备项 z[M LMf[c  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 9b``l-rO  
n 完成顶层结构设计说明 B0?E$8a  
n 确定关键的模块（尽早开始） z\pT nteO  
n 确定需要的第三方IP模块 H~i+:X=I  
n 选择开发组成员 Op" \i   
n 确定新的开发工具 E b-?wzh  
n 确定开发流程/路线 b
*',(J94  
n 讨论风险 c_~)#F%P  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 <*V%!pwIG  
n 国软检测 芯片失效分析中心