[求助]塑胶镜片RF离子源辅助镀膜参数问题 [复制链接]

设备  OTFG1300    17cm RF源  电子枪，镀膜材料及IAD参数：OS-50(BV 400v,BI 550mA    / 硅铝混合物(BV:300V,BI 450mA) woGAf)vV#  
目前环测无问题，但85℃水煮15-20分钟就会膜层脱落明显低于霍尔源所做产品，且强光照射1000小时膜层脱落，环测条件如下： N
g~FEl  
1、高温高湿存储：70℃；90+/-5% RH ；72H. jK& h~)  
2、高低温冲击：50次；-40℃~100℃； e?
8FN. q  
T1=T2=0.5H（恒温时间）T3=5min（温度切换时间） :&V h?  
3、高温烘烤：100℃，24H BHU6t<G  
环测后不可出现膜裂，脱膜和其他膜层异常现象； 7o#I
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d~  
环测前后需符合镀膜附着力测试要求：同一位置分别用3M胶带贴紧 G}b]w~ML~  
并迅速撕开重复三次无膜脱落 V{/?FO?E  
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求助有没有朋友使用过此机台做过塑胶镜片，交流下离子源参数

硅铝不开离子源试试

这种条件就该用霍尔源做。 e>+i>/Fn{h  
镀膜前先用离子源轰击一下， 5Ha9lM2gh  
然后氧化铝打底， RzE_K'M  
离子源电压稍微高一点，电流开最大。 ls\WXCH  
以片子不变形为限

我这里最近也在做这个实验，H4 SIO2   6层膜  H4打底，且H4层都比较薄。  会出现膜裂情况，而且膜裂几率挺高的。   X( \AB  
镀膜温度80℃。  是不是得换下试料，或者降低温度？  温度越高 结合力越好？

听人说树脂镜片，  镀膜设备要配CP。  我的机器配的DP，我这正抽空做实验了。

sosjinyan:我这里最近也在做这个实验，H4 SIO2   6层膜  H4打底，且H4层都比较薄。  会出现膜裂情况，而且膜裂几率挺高的。   Ec!"O3%!M^  
镀膜温度80℃。  是不是得换下试料，或者降低温度？  温度越高 结合力越好？ (2019-04-30 17:03)  RuLi,'u  

1!xQ=DU"  
如果不掉膜只是裂应该是应力问题，考虑换材料和调整蒸发参数，树脂片一定要IAD的

ouyuu:这种条件就该用霍尔源做。 GA$V0YQX  
镀膜前先用离子源轰击一下， QVv#fy1"6  
然后氧化铝打底， !8TlD-ZT/  
离子源电压稍微高一点，电流开最大。 4V{:uuI;f  
以片子不变形为限 (2019-04-27 22:01)  M92dZ1+6  

eQ$Y0qH1E  
谢谢！我先试下，但根据以往测试发现霍尔源做的产品耐高温性能差一些

zm8339:硅铝不开离子源试试 (2019-04-24 17:06)  Mc?Qx  

?so=;gh  
不开试过了，没有发现明显差异，倒是加大低折射材料的离子束能量有改善，怀疑还是应力匹配的问题

hl594566271:如果不掉膜只是裂应该是应力问题，考虑换材料和调整蒸发参数，树脂片一定要IAD的 (2019-05-08 17:05)  Vk`h2BV  

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多谢， 准备换ZRO2。我了解的一个公司，树脂镜片工艺，用的CP泵，没用离子源。 想问问不用离子源，影响大吗？   我的机器倒是配了，霍尔离子源，但是非常不好用，镀10锅（AR膜），枪丝就断了。 我感觉枪丝使用时间太短了。 0!D4pvlt  

sosjinyan:多谢， 准备换ZRO2。我了解的一个公司，树脂镜片工艺，用的CP泵，没用离子源。 想问问不用离子源，影响大吗？   我的机器倒是配了，霍尔离子源，但是非常不好用，镀10锅（AR膜），枪丝就断了。 我感觉枪丝使用时间太短了。 Id*Ce2B  
 (2019-05-15 11:15)  W=lyIb{?^0  

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不开影响挺大的，折射率、附着力都会差一点。霍尔源的阴极灯丝只能用那么久，定期更换就行了