摘要：本文设计并制作了一种高效率、高可靠性的915 nm半导体激光器。半导体激光器是光纤激光器的关键部件，为了最大限度地提高器件的电光转换效率，在设计上采用双非对称大光腔波导结构，同时对量子阱结构、波导结构、掺杂以及器件结构进行了系统优化。器件模拟表明，在25℃环境温度下，器件的最高电光转换效率达到67%。采用金属有机气相沉积（MOCVD）法进行材料生长，随后制备了发光区域宽度为95 μm、腔长为4.8 mm的激光芯片。测试表明，封装后器件的效率以及其它参数指标达到国际先进水平，在室温下阈值电流为1 A，斜率效率为1.18 W/A，最高电光转换效率达66.5%，输出功率12 W时，电光转换效率达到64.3%，测试结果与器件理论模拟高度吻合。经过约6 000 h的寿命加速测试，器件功率没有出现衰减，表明制作的高功率915 nm激光芯片具有很高的可靠性。 G9x l-ag+z
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关键词 ： 半导体激光器；电光转换效率；亮度；腔面灾变功率
