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    [分享]12W高功率高可靠性915nm半导体激光器设计与制作 [复制链接]

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    离线yy08
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 07-31
    摘要:本文设计并制作了一种高效率、高可靠性的915 nm半导体激光半导体激光器光纤激光器的关键部件,为了最大限度地提高器件的电光转换效率,在设计上采用双非对称大光腔波导结构,同时对量子阱结构、波导结构、掺杂以及器件结构进行了系统优化。器件模拟表明,在25℃环境温度下,器件的最高电光转换效率达到67%。采用金属有机气相沉积(MOCVD)法进行材料生长,随后制备了发光区域宽度为95 μm、腔长为4.8 mm的激光芯片。测试表明,封装后器件的效率以及其它参数指标达到国际先进水平,在室温下阈值电流为1 A,斜率效率为1.18 W/A,最高电光转换效率达66.5%,输出功率12 W时,电光转换效率达到64.3%,测试结果与器件理论模拟高度吻合。经过约6 000 h的寿命加速测试,器件功率没有出现衰减,表明制作的高功率915 nm激光芯片具有很高的可靠性。 nB~hmE)  
    oCCTRLb02  
    关键词 : 半导体激光器;电光转换效率;亮度;腔面灾变功率
    附件: 12W高功率高可靠性915nm半导体激光器设计与制作.rar (2273 K) 下载次数:9 ,售价:2光币[记录]
     
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    离线noodle
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    只看该作者 1楼 发表于: 08-09
    楼主不错
    离线chenhui8080
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    只看该作者 2楼 发表于: 昨天 17:13
    学习了!
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