[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Dwr"-  
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一. 半导体激光器的基本结构 Z?&ZgaSz  
•1.半导体双异质结构 E1w8d4P,G  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Z@*!0~NH=4  
•3. 侧模控制(基侧模) AG;KXL[V  
•4.横模控制 g2M1zRm;  
•5. 动态单模半导体激光器 RHbbj}B  
•6. 波长可调谐半导体激光器 FKhgUnw  
•7.长波长VCSEL的进展 (WY9EJ<s,  
•8.微腔激光器和光子晶体 1#fR=*ZM"  
•9.半导体激光器材料的选择 N K@6U_/W  
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二.半导体光波导 >r}?v3QW  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 :v$)Z~  
•2. 光限制因子和模式增益 uc]5p(9Hb  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 MJH>rsTQ  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 @`^Z5n.4  
•5. DFB激光器的藕合模理论 \F+".X#jh  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 X(8LhsP  
•7. 等效折射率近似 nKEw$~F  
•8. 数值模拟 OJM2t`}_t  
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三.半导体中的光跃迁和增益 VpY,@qh  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 n!Y}D:6c6  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 $ )2zz>4  
•3.简约态密度及增益谱 ?=-/5A4K  
•4.模式的自发辐射速率 cbzS7q<)  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 W?ghG  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 W(-son~I  
•7.增益谱峰值的近似表达式 Znh;#%n|  
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四. 速率方程和动态效应 bB*cd!7y  
•1．单模速率方程及基本物理量 F/:%YR;  
•2．稳态输出 yB{1&S5C  
•3. 共振频率和3dB带宽 _c:th{*  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ;/IXw>O(/  
•5. 开启延迟时间 m?8o\|i,  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 pQ4HX)<P  
•7. 自发辐射引起的噪声 CEzdH!nP  
•8. 相对强度噪声 [;:ocy  
•9. 模式线宽 e~R_bBQ0  
•10. 多模速率方程 j|p=JrCJ  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 ``{GU}n  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ,&* BhUC  
3.激光器寿命 "kIlxf3  
4.激光器阈值电流的温度特性 l>(*bb1}b  
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