[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 *n? 1C"l  
YS9RfK/  
一. 半导体激光器的基本结构 `NsjtT'_  
•1.半导体双异质结构 'RK"/ZhqE  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) .Q*X5Fc  
•3. 侧模控制(基侧模) S1
3cQ?4  
•4.横模控制 oY18a*_>M1  
•5. 动态单模半导体激光器 WVy'f|3;  
•6. 波长可调谐半导体激光器 eyJ07  
•7.长波长VCSEL的进展 ump~)?_B  
•8.微腔激光器和光子晶体 lrT2*$ w3  
•9.半导体激光器材料的选择 Nujnm$!,Q  
3`HK^((o  
二.半导体光波导 yJm"vN  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 \beO5]KS<  
•2. 光限制因子和模式增益 pSw/QO9  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 WVbrbs4  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 L8QW
EFB|  
•5. DFB激光器的藕合模理论 @Iv;y*y  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 >d2Fa4u3  
•7. 等效折射率近似 az(<<2=  
•8. 数值模拟 Wp=3heCa6  
2@D`^]]  
三.半导体中的光跃迁和增益 9B: 3Ha=  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 +$,Re.WnP  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 %t9C  
•3.简约态密度及增益谱 LwH#|8F  
•4.模式的自发辐射速率 'x!\pE-  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 m|@H`=`d  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 $7S"4rou  
•7.增益谱峰值的近似表达式 pN%&`]Wev  
nVb@sI{{k  
四. 速率方程和动态效应 |W">&Rb<t#  
•1．单模速率方程及基本物理量 7~/cz_  
•2．稳态输出 @w[i%F,&`  
•3. 共振频率和3dB带宽 ,fVD`RR(W?  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 u/zBz*zh  
•5. 开启延迟时间 ,kN;d}bg  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 _IYaMo.n  
•7. 自发辐射引起的噪声 Ej(Jj\  
•8. 相对强度噪声 ji"g)d6  
•9. 模式线宽 Y`|+sND  
•10. 多模速率方程 |\5^ub,m  
G6sK3K  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 `Lf'/q  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Aw o)a8e  
3.激光器寿命 \hB BG8=
&  
4.激光器阈值电流的温度特性 >qjV{M  
rl*O-S/  
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