[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ,/O[=9l36R  
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一. 半导体激光器的基本结构
z_ =Bt  
•1.半导体双异质结构 {s3z"OV  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) i55x`>]&sb  
•3. 侧模控制(基侧模) v=95_l  
•4.横模控制 pN\Vr8tJ  
•5. 动态单模半导体激光器 {m`A!qcD|  
•6. 波长可调谐半导体激光器 $F.kK%-*  
•7.长波长VCSEL的进展 {_U Kttp  
•8.微腔激光器和光子晶体 {iG@U=>  
•9.半导体激光器材料的选择 gKg-O  
tb?YLxMV  
二.半导体光波导 <ER'Ed  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 7a=S  
•2. 光限制因子和模式增益 i*eAdIi  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 *6BThvg|&X  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 0hZ1rqq8C  
•5. DFB激光器的藕合模理论 IcIOC8WC  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 !,Zp? g)  
•7. 等效折射率近似 { BEo &  
•8. 数值模拟 u>
pBB@  
saD-D2oj  
三.半导体中的光跃迁和增益 Ol$WpM  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 tvd0R$5}  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 -A-tuyIsh"  
•3.简约态密度及增益谱 E|:!Q8"%w  
•4.模式的自发辐射速率 ZX~ _g@  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 6x=Y
Qwn~  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 LEECW_:  
•7.增益谱峰值的近似表达式 abxDB  
F\ctuaLC  
四. 速率方程和动态效应 AnZclq
tb  
•1．单模速率方程及基本物理量 AOrHU M[I  
•2．稳态输出 0J~Qq]g  
•3. 共振频率和3dB带宽
:c8n[+5  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 fa.0I~  
•5. 开启延迟时间 6b~28  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 }1-I[q6  
•7. 自发辐射引起的噪声 3?&h^UX  
•8. 相对强度噪声 F~U!1)  
•9. 模式线宽 F^!mI7Z|(2  
•10. 多模速率方程
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 YwH./)r=  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 c<+;4z  
3.激光器寿命 n
T#JOmv  
4.激光器阈值电流的温度特性 ;7Oi!BC  
BKU'`5`  
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