半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Ik W 8$>
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一. 半导体激光器的基本结构 5,Rxc=
•1.半导体双异质结构 |qe[`x;
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•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) UYOveQ;
•3. 侧模控制(基侧模) I'W`XN
•4.横模控制 -lICoRO#
•5. 动态单模半导体激光器 V\Q=EsHj
•6. 波长可调谐半导体激光器 )T2V< 3l
•7.长波长VCSEL的进展 P D,s,A
•8.微腔激光器和光子晶体 ha Tmfh_|
•9.半导体激光器材料的选择 XR2Gw 4]
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二.半导体光波导 OGA_3|[S
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 jTSN`R9@
•2. 光限制因子和模式增益 mV~aZM0'
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 0<ze'FbV]
•4. 半导体激光器镜面反射系数 _-MIL kx\
•5. DFB激光器的藕合模理论 R*S9[fqC[
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 3:H[ S_q
•7. 等效折射率近似 v *Dz4K#
•8. 数值模拟 `LroH>_
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三.半导体中的光跃迁和增益 #Jx6DQGa
•1. 费米分布函数及跃迁速率 R%%Uw %`
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 D^m`&asC
•3.简约态密度及增益谱 8rV"? m`S
•4.模式的自发辐射速率 ICvl;Q
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 3haR/Y N
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 \ t=ls
•7.增益谱峰值的近似表达式 `#g62wb,HY
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四. 速率方程和动态效应 o54/r#~fi
•1．单模速率方程及基本物理量 H^TU?vz}
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•2．稳态输出 W%&gvZre.
•3. 共振频率和3dB带宽 frh!dN
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ? R!?}7
•5. 开启延迟时间 VoG_'P
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 f pPB_P{Ua
•7. 自发辐射引起的噪声 dp|VQWCq
•8. 相对强度噪声 Z=KHsMnB
•9. 模式线宽 :abpht
•10. 多模速率方程 \3bT0^7B
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 ByU&fx2Z
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 fK
4,k:YC
3.激光器寿命 JLz.lk*.
4.激光器阈值电流的温度特性 w/49O;r V
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