[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 IXef}%1N?  
*R6Ed  
一. 半导体激光器的基本结构 %2D9]L2Up  
•1.半导体双异质结构 rik0F  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 7B,axkr  
•3. 侧模控制(基侧模) :vkTV~  
•4.横模控制 6S#e?>"+  
•5. 动态单模半导体激光器 \P|PAU@,  
•6. 波长可调谐半导体激光器 &I$MV5)u  
•7.长波长VCSEL的进展 %^$7z,>;  
•8.微腔激光器和光子晶体 4R/cN'-  
•9.半导体激光器材料的选择 h+7THMI  
jRP9e  
二.半导体光波导 N3J;_=<4  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 &{c.JDO  
•2. 光限制因子和模式增益 t\$P*_  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 usR:-1{  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 VgO:`bDF  
•5. DFB激光器的藕合模理论 '=2/0-;Jf  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 tmJ-2   
•7. 等效折射率近似 x2bKFJ>e@  
•8. 数值模拟 !w8t`Z['  
RHc-kggk!  
三.半导体中的光跃迁和增益 Io81zA  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 #DI%l`B  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 S_VZ^1X]  
•3.简约态密度及增益谱 eiV[y^?  
•4.模式的自发辐射速率 n@)Kf A)&  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ,33[/j  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 N%k6*FBp~  
•7.增益谱峰值的近似表达式 '*~_!lE5  
S}Q/CT?au  
四. 速率方程和动态效应 U$fh ~w<[  
•1．单模速率方程及基本物理量 oWu2}#~z_  
•2．稳态输出 +$-@8,F
>  
•3. 共振频率和3dB带宽 =skw@c^  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 bZE
;}d  
•5. 开启延迟时间 4Y)rgLFj  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 G98P<cyD  
•7. 自发辐射引起的噪声 S~9K'\vO  
•8. 相对强度噪声 &?R2zfcM  
•9. 模式线宽 -.>b7ui  
•10. 多模速率方程 ^}+qd1r  
*oC],4y~D  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 arR9uxP  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Vy:I[@6@+  
3.激光器寿命 \{HbL,s  
4.激光器阈值电流的温度特性 zq=X;}qYj  
sw={bUr6G`  
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