半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 zf3:<CRX5
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一. 半导体激光器的基本结构 4[#6<Ixf
•1.半导体双异质结构 ;=-j;x
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 6UW:l|}4#2
•3. 侧模控制(基侧模) f-3'D-{EKt
•4.横模控制 hzQ+9-qA
•5. 动态单模半导体激光器 3p3WDL7
•6. 波长可调谐半导体激光器 xshArJ&A
•7.长波长VCSEL的进展 @>G&7r:U
•8.微腔激光器和光子晶体 '9
e\.
•9.半导体激光器材料的选择 o)#q9Vk%b
& &" 'dL
二.半导体光波导 nx-1*
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 uKbHFF
•2. 光限制因子和模式增益 w}j6.r
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 %l:|2s:
•4. 半导体激光器镜面反射系数 *
{gxI<
•5. DFB激光器的藕合模理论 UW hn1N
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 NFY|^*bll
•7. 等效折射率近似 w53z*l>ek
•8. 数值模拟 }KA-t}8
z|3`0eWIG
三.半导体中的光跃迁和增益 F)/~p&H
•1. 费米分布函数及跃迁速率 #dZ/UM(u
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 lI4J=8O0
•3.简约态密度及增益谱 -@SOo"P
•4.模式的自发辐射速率 uNe}"hs
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 =t3vbV
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 5#0A`QO
•7.增益谱峰值的近似表达式 %j*k
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四. 速率方程和动态效应 {_zV5V
•1.单模速率方程及基本物理量 g\o{}Q%X
•2.稳态输出 ,u}<Ws8N
•3. 共振频率和3dB带宽 q%-&[%l
•4. 载流子输运效应对带宽影响 z;dcAdz9
•5. 开启延迟时间 fJLf7+q
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Fn86E dFM
•7. 自发辐射引起的噪声 Hz}+SAZ
•8. 相对强度噪声 1C_'H.q<=
•9. 模式线宽 )L |tn
•10. 多模速率方程 _W0OM[
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 vWU%ST
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 :1aL9 fT
3.激光器寿命 8 7RHA $?
4.激光器阈值电流的温度特性 #PPR"w2g
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