[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 &s?uMWR  
@>~\So|  
一. 半导体激光器的基本结构 L'aB/5_%  
•1.半导体双异质结构 ly6zz|c5  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) HOPy&Fp  
•3. 侧模控制(基侧模) VX8CEO  
•4.横模控制 |Z2"pV  
•5. 动态单模半导体激光器 ceCO*m~  
•6. 波长可调谐半导体激光器 &Q}%
b7  
•7.长波长VCSEL的进展 hqjjd-S0  
•8.微腔激光器和光子晶体 e?+-~]0  
•9.半导体激光器材料的选择 n9J{f"`m  
i+~BVb  
二.半导体光波导 Y0EX{oxt1  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 !|u?z%  
•2. 光限制因子和模式增益 6
hYz^}2g  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Z~-N'Lt{  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Ng W"wh  
•5. DFB激光器的藕合模理论 (6a<{  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 a9{NAyl<oo  
•7. 等效折射率近似 i}v.x  
•8. 数值模拟 ZOa|lB (,  
{y6h(@I8\  
三.半导体中的光跃迁和增益 &V(6N%A^U  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 BU??}{  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ~;Y Tz  
•3.简约态密度及增益谱 $)o0{HsL+  
•4.模式的自发辐射速率 ?#Z4Dg 9|  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 2=
8PA/  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 2YW;=n  
•7.增益谱峰值的近似表达式 q jc4IW t~  
,~ZD"'*n6g  
四. 速率方程和动态效应 ~ *"iLf@,  
•1．单模速率方程及基本物理量 vWeY[>oGur  
•2．稳态输出 kI@<H<  
•3. 共振频率和3dB带宽 gSw<C+  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ]|,}hsN  
•5. 开启延迟时间 v)_FiY QQ6  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 9oO~UP!ag  
•7. 自发辐射引起的噪声 Z/?{{}H+  
•8. 相对强度噪声 ~KkC089D  
•9. 模式线宽 t? 6 et1~  
•10. 多模速率方程 /PTRe5-7  
X"_ ^^d-  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 {9V.l.Q  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 m=^]93+  
3.激光器寿命 a <?~1pWtc  
4.激光器阈值电流的温度特性 d
r
=Q9%  
5~IdWwG*w  
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