半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 gD1+]am
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一. 半导体激光器的基本结构 ?} X}#
•1.半导体双异质结构 avy=0Jmj
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ENyAF%6
•3. 侧模控制(基侧模) $l#{_~
"m7
•4.横模控制 _25d%Ne0
•5. 动态单模半导体激光器 V Y_f =
•6. 波长可调谐半导体激光器 tIp{},bQ^
•7.长波长VCSEL的进展 ?rQc<;b
•8.微腔激光器和光子晶体 .<dOED{v
•9.半导体激光器材料的选择 }1F6?do3&
5}7ISNP;f
二.半导体光波导 ,02w@we5
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 P{Lg{I_w.B
•2. 光限制因子和模式增益 c>rKgx
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 AI~9m-,mE
•4. 半导体激光器镜面反射系数 >fg4x+0 %
•5. DFB激光器的藕合模理论 C/y(E|zC$
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 -_HRqw,Z0
•7. 等效折射率近似 :Dj#VN
•8. 数值模拟 }U
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D>Ua#<52q
三.半导体中的光跃迁和增益
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•1. 费米分布函数及跃迁速率 B#:E?a;{
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Bi
XTC$Oi
•3.简约态密度及增益谱 #EFMgQO
•4.模式的自发辐射速率 MISE C[/
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 'QnW9EHLF
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 KDBY9`08
•7.增益谱峰值的近似表达式 V pH|R
+nzTxpcP@K
四. 速率方程和动态效应 4@mso+tk
•1.单模速率方程及基本物理量 ]Ly8s#<g]N
•2.稳态输出 4gya]
•3. 共振频率和3dB带宽 DUhT>,~]
•4. 载流子输运效应对带宽影响 p&uCp7]U
•5. 开启延迟时间 q#|r
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 M_; w%FV
•7. 自发辐射引起的噪声 hRLKb}
•8. 相对强度噪声 9ClF<5?M
•9. 模式线宽 ,$ mLL
•10. 多模速率方程 ^9s"FdB]24
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 YLigP"*~^
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 3r`<(%\
3.激光器寿命 .X^43
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4.激光器阈值电流的温度特性 Wkww&Y
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