光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
H-K,Q% ;C@ 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
TyY[8J| 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
Yc/Nz(m }xJ9EE*G/
iov55jT~l@
r D X_$,3L
O['gp~P"
Reference 6.kX~$ K
Wavelength(参考波长)：
4&~ft
}#Z Q\[
u.YPb @
Uc/M PCqZ
>wS52ng
Illuminate（光源）：
J*Dj`@`4`g
9&q<6TZ z
&~ QQZ]q6
HaXlc8
In#V1[io
Incident + |Z1U$0g
angle（入射角）：
O;h ]
= W"BfG
n8DWA`[ib
"K5n |{#
IT5AB?bxH
Incident 2s_shY<=}L
medium（入射介质）：
7 d*SZmD
-h%;L5oJ2,
<cW$
\P}hV
>Ip>x!wi
AmNmhcN
Substrate（基底）
qRT1W re
3
:[ z=u
H)(@A W+-
*Nloa/a&9
jFf2( AR
Thickness（厚度）mm
Y [k%<f
NTS
tk{s,
u1s^AW8 y
SV}q8z\
rs2G{a
Exit jU
|0!]
medium（出射介质）
mO;X>~K
*xR;}%s\
C8>zr6)1
,rVm81-2
<yz)iCU?
Detector（探测器）：
7Gd)=Q{uur
c-.t8X,5(~
ES p)%
0 Po", \^
KSU?Tg&JR
First -f IX6
Surface（第一面）
R L7OFfMe
Z?
u\
zim]3%b*A;
25]Mi2_
8gwJ% "-K
