300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm LD}~]
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm nm,LKS7
780~1200 nm T ave <1% Q7$o&N{
$}gMJG
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) K8sRan[4}
#;j:;LRU
H: Ta2O5 L:SiO2 Qw}1q!89
k~"Eh]38
該如何設計