300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm Y.tT#J^=
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm 1kUlQ*[<|
780~1200 nm T ave <1% y:Of~
]9@
Ar,n=obG
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) f.66N9BHL,
7OG:G z+)x
H: Ta2O5 L:SiO2
Su?cC/
rMZuiRz*
該如何設計