300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm hE}y/A[
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm =}YaV@g<f
780~1200 nm T ave <1% 5t[7taLX\
QhmOO-Z?
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) _Wo(;'.
.jbT+hhM
H: Ta2O5 L:SiO2 420yaw/":
Oftjm
X_
該如何設計