光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
wp@_4Iq1$ 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
S]fu
M% 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
{dZ]+2Z~+ qFWN._R
<8}FsRr;J
MsXw
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Reference ~Yk n|$_"I
Wavelength(参考波长)：
l7g'z'G
%M`48TW)
Nf([JP% 4
kt rIi5B
2yJ{B
Illuminate（光源）：
YVc cO~!8
`h@fW- r
'Ou C[$Z
R ` ViRJh
O[VY|.MEk
Incident _Z(t**Zh6y
angle（入射角）：
Dizz ?O
>Oa D7
6C2~0b
| 'z 8>1
WGz)-IB!PE
Incident KhND
pwO"
medium（入射介质）：
y7hDMQ c'
a qEZhMy
F6}RPk\=i
&P b:P?I
p
XXf5adl<
Substrate（基底）
#DgHF*GG+>
*|S6iSn9R!
vS\ 2zwb}
Nbr$G=U
$~1vXe
Thickness（厚度）mm
yU!1q}L!
hY .i`sp*/
dJgLS^1E
<kFLwF?PM'
jh oA6I
Exit >g<Y H'U{
medium（出射介质）
|B FzTz,o
}PJsPIa3j
os{ iY
xuv W6Q;
qA GjR!=^
Detector（探测器）：
{|u"I@M*O
GS>[A b+
Jx5` 0?
jn5xYKv
nx 'c= gp
First tq59w
Surface（第一面）
dLp1l2h!0
m}'_Poc
bq E'9GI
^;_~ mq.
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