镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
8!6*|!,:?n 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
!VZj!\I 3= zQ
U Zwns|23n UJ$:5*S=u CWQ2iu<_0 *$C[![ 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
5z ^UQq 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。