镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
9;`hJ!r 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
D5].^*AbZ /+. m.TF 1|>bG#| *KU:D Y{ g?Rq .py]! CP$,fj 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
LcNI$g;}Yf 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。