1. 背景知识
MBg^U<t8 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
-Rf|p(SJ,E 2. 设备能力
sX=!o})0 OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
S ^ n:O aN7u
j 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
vCi:c Ip/ 2） 排气性能
6?t5g4q*nn 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
?+TD2~rD( 极限真空：低于5.0E-5Pa
&556 ;l 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
``O\'{o& 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
q5`Gl 3） 基板加熱特性
!Q ? 4sAB 最大设定温度: 350℃
nbYaYL?& 加热40分钟以内，能到达300℃
0~-+5V 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
mq
"p"iI 4） 电子枪/电源(JEOL制)
'-* r&: 电子枪（BS-60050EBS）：
KYeA= (10kW，270°偏转)
0m@S+ $v 电压 -4～-10kV(连续可变)
fW\u*dMMZE 5） 坩埚
`6M(`*Up 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
g VuN a) 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
;1y\!f3#V~ 6） 离子源
m+!%+S1 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
qH(2 0Z! a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
q&wMp{ 栅网尺寸：10cm
k' \RS6M`L 最大射频功率：600W（13.56MHz）
w"Z >F]YZ 束電圧：100V～1500V
7eq;dNB@gq 最大束電流：500mA
A+dY~@*a 离子流密度分布：±10%以内
\myc n/e 加速电压：100V～1000V
C= Zuy^ 标准导入气体量：氧气或氩气
& v`kyc b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
: Z.mM5 最大射频功率：150W（13.56MHz）
y"]> Rr 最大中和電流：1500mA
}cf-r>WaR 标准导入气体量：氩气
Cz(Pj S 7） 光学膜厚监控
E x Qld 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
Sj*H4ZHD<& 波長范围：350～1100nm
h(zi$V 波長精度：<±1nm
,iHt*SZ,* 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
SHaZ-d 波长再现性：±0.25 nm
o]FQ)WRB 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
<.AIV p 8） 水晶膜厚监控
B
O"+m 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
NN$`n*;l 水晶开始频率：6.0MHz
hVID~L$ 频率变化测定分解能：±0.028Hz
|;].~7^ 测定时间间隔：0.25秒
Z BYmA D <>R7G)w
F 3. 标准工艺
{wm
` 1) ITO
m760K*:i\ 2)太阳电池减反膜
m]%cNxS 81KtK[?b 3)高反膜
jVA xa|S j@:L M R> 4)截止滤光片
n1LS*-@ 4x3`dvfp/ 5)UV-IRCUT
ZqhINM*Rm /2z 2a-!r H#ihU3q 5．操作手册
CUtk4;^y# 1) 目的
HgMDw/D( 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
Zw3|HV(so 2) 使用范围
:4A^~+J 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
X ak~He 3) 注意事项
oDRNM^gz 1.开机前检查水电气是否正常
`j2z=5 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
N$3F4b%+ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
X$xqu\t7 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
\gzNMI* 4) 准备工作
$;">/ "7m 1.基片清洗
SQHV gj 2.补充源材料
}{ P}P} 3.清理真空室
i ^W\YLE 5) 操作步骤
;m\(fW*ii 1、开机
ZE1#{u~[y 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
ru U| 1.2 打开总电源
1]qhQd-u 1.3 打开UPS电源
UR\*KR;yM 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
QTDI^ZeuF 机，进行冷泵再生过程。
J0x)m2
2、放样
](O!6_'d 2.1 清理真空室
5-sxTp 2.2 补充源材料
sPhh#VCw{ 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
@U9ov >E 2.4 放入样品
[[)HPHSQ 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
h;B ol 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
't djPdw 3、熔源与蒸发镀膜
w ggl,+7 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
cL}g7D 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
s*Fmu7o43 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
a]Lr<i8#% 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
_ '}UNIL 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
LX3 5Lt DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
P3:hGmk8|j 3.6 打开气体流量控制仪
p3-sEIw}Ru 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
h qxe 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
D,R/abYZH 4、取样
0h5T&U]${Y 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
BeV Q [ 行充气过程
^
sz4rk 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
Bkcs4 x 清理真空室，进入到下一个循环。
8'f:7KF 5、关机
\_+d*hHF~ 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
* %MY. # 5.2 关闭UPS，总电源
jbG #__#_ 5.3 关闭水、气
