1. 背景知识
_qV_(TpS+ 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
^^#A9A M 2. 设备能力
\Z 8!iruN OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
N5^:2ag N *fN&0 r 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
I$$!YMm.N 2） 排气性能
O);V {1P 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
*L=CJg 极限真空：低于5.0E-5Pa
L6T_&AiL$ 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
* 7C I q 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
$3>|R lxYA 3） 基板加熱特性
K\G|q}E/1 最大设定温度: 350℃
m`Z4#_s2 加热40分钟以内，能到达300℃
i|*:gH 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
o&=m]hKpQl 4） 电子枪/电源(JEOL制)
*h Ur E 电子枪（BS-60050EBS）：
c!zu0\[Id (10kW，270°偏转)
WVZ\4y 电压 -4～-10kV(连续可变)
pS0T> r 5） 坩埚
i> ;G4 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
sMZ \6 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
[eImP
V] 6） 离子源
zC7;Zj*k 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
^#+9v a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
q6q= ,<T%S 栅网尺寸：10cm
J#\/znT 最大射频功率：600W（13.56MHz）
gb-n~m[y 束電圧：100V～1500V
nN[,$`JD, 最大束電流：500mA
m9/a!|fBE 离子流密度分布：±10%以内
52oR^ | 加速电压：100V～1000V
F XbNmBXF 标准导入气体量：氧气或氩气
sB $!X@ b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
CXa$QSu > 最大射频功率：150W（13.56MHz）
/)~M cP3 最大中和電流：1500mA
Z EW`?6 标准导入气体量：氩气
V5=Injs * 7） 光学膜厚监控
fYwumx`J 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
^VA)vLj@ 波長范围：350～1100nm
3'8~H]<W 波長精度：<±1nm
il: ""x7^y 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
4WLB,<b} 波长再现性：±0.25 nm
+ EM '- 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
M` bK 8） 水晶膜厚监控
_b+3;Dy 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
sviGS&J9h 水晶开始频率：6.0MHz
_$r+*nGDz 频率变化测定分解能：±0.028Hz
W*P/~U= 测定时间间隔：0.25秒
{|qz> [=Xvp z 3. 标准工艺
ST{<G 1) ITO
kM .zX|_ 2)太阳电池减反膜
;lGjj9we> by- B).7 3)高反膜
44!bwXz8 L;Nm"[ ` 4)截止滤光片
rKO[;]_* wuPx6hCl 5)UV-IRCUT
T7[ItLZ VQ +Xh #fQ StO 5．操作手册
GZs e8ng 1) 目的
;:v:pg8qc 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
(i { 2) 使用范围
0 ~VniF^ 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
By"
=]|Q 3) 注意事项
9T)-|fja_ 1.开机前检查水电气是否正常
zT.qNtU% 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
v=!]t=P)t 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
]2?t $"G8 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
E;k'bz 4) 准备工作
}=NjFK_6 1.基片清洗
-|g~--@Q 2.补充源材料
90;[5c
3.清理真空室
[8<)^k 5) 操作步骤
#5F\zeo@F? 1、开机
XSXS;Fh) 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
?,]25q 1.2 打开总电源
;'*"(F=D6 1.3 打开UPS电源
kA fkQy(~ 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
< f1 Pj 机，进行冷泵再生过程。
8@Pv
nO L 2、放样
S_WYU&8 2.1 清理真空室
p"w"/[8 2.2 补充源材料
t=5 K#SX} 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
woQYP, 2.4 放入样品
+[ !K 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
IF<pT) 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
UE5T%zd / 3、熔源与蒸发镀膜
2ACN5lyUS 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
"d9"Md0k 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
ml\A)8O]j/ 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
Y`w+?}(M 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
y^?7de} 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
>HXT:0 DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
TN4gGky! 3.6 打开气体流量控制仪
,..&j+m 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
7?xTJN )G 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
uL`;KD 4、取样
pri=;I(2A 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
GG-7YJ 行充气过程
[td)v, 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
7' ]n_-fu 清理真空室，进入到下一个循环。
> X<pzD3u 5、关机
E)7vuWO O 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
1TJ 2HO=Y 5.2 关闭UPS，总电源
` {#0C- 5.3 关闭水、气
