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    [讨论]磁控溅射镀膜电子损伤 [复制链接]

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    离线hxn123
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-12-15
    关键词: 磁控溅射镀膜
    各位大佬,磁控溅射镀膜过程中的电子损伤能用什么办法检测出来嘛,电子损伤有什么办法将其消除或者规避掉嘛?
     
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    离线ouyuu
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    只看该作者 1楼 发表于: 2021-12-16
    是电子本身造成的损伤,还是二次电子造成的静电损伤? UlovXb  
    有些问题属于小知识小窍门,网上问的到结果。 2#5,MP~r  
    有些问题属于别人花了很多钱开发出来的独有技术和工艺, xytr2V ]aV  
    属于保密范畴,网上是问不到结果的。 Q(@IK&v  
    离线hxn123
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    只看该作者 2楼 发表于: 2021-12-16
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:是电子本身造成的损伤,还是二次电子造成的静电损伤? `k{& /]  
    有些问题属于小知识小窍门,网上问的到结果。 omX?Bl  
    有些问题属于别人花了很多钱开发出来的独有技术和工艺, ]`=X'fED  
    属于保密范畴,网上是问不到结果的。 j ) vlM+  
     (2021-12-16 11:58)  aw $L$7b}  
    dj9 ?t  
    好滴,谢谢。这个电子损伤主要是溅射沉积过程中产生的电子,包括二次电子,应该不包括静电。
    离线ouyuu
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    只看该作者 3楼 发表于: 2021-12-24
    这样…… $a;]_Y  
    我这边只做过新柯隆,他们家是先溅射再氧化的。 LJzH"K[Gg6  
    氧化的时候多余的氧离子就可以把电子中和了,所以之前也没有关注过这种问题。 r4 dOK] 0  
    你们能不能镀膜的时候加上一个氧化源?
    离线hxn123
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    只看该作者 4楼 发表于: 2021-12-28
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:这样…… |lQ;ALH!  
    我这边只做过新柯隆,他们家是先溅射再氧化的。 G&{HTYP  
    氧化的时候多余的氧离子就可以把电子中和了,所以之前也没有关注过这种问题。 "u^EleE!  
    你们能不能镀膜的时候加上一个氧化源? (2021-12-24 11:13)  4)-)#`K  
    nn~YK  
    好滴,谢谢,这个加入氧化源是不是相当于反应溅射
    离线ouyuu
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    只看该作者 5楼 发表于: 2021-12-30
    回 hxn123 的帖子
    hxn123:好滴,谢谢,这个加入氧化源是不是相当于反应溅射 (2021-12-28 23:10)  S>:,z}i  
    **;p (CI  
    是的。