1. 背景知识
a0PClbf2. 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
Sr+ & 2. 设备能力
<G#Q f|& OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
Id{Ix(O Dv}VmC"" 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
tS[%C) 2） 排气性能
z'}z4^35, 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
3w8v.J8q 极限真空：低于5.0E-5Pa
V3$zlzSm, 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
~vKDB$2 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
|`O2 10B@ 3） 基板加熱特性
eKe[]/}e9 最大设定温度: 350℃
gW^ 0A)5 加热40分钟以内，能到达300℃
v*^'|QyM7 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
y6&o+; I$[ 4） 电子枪/电源(JEOL制)
OQ+kOE& 电子枪（BS-60050EBS）：
o T - Y (10kW，270°偏转)
f<v Z4 IU 电压 -4～-10kV(连续可变)
+oiuulA 5） 坩埚
PD b7 h 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
6OZ n7:)Y 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
4R& pb1eF 6） 离子源
mV|Z5 = f 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
M<b a+Qn$ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
Ur(< ] 栅网尺寸：10cm
7@Xi*Azd 最大射频功率：600W（13.56MHz）
@+Anp4%;Y 束電圧：100V～1500V
i}~U/.P
最大束電流：500mA
><{Lh@{ 离子流密度分布：±10%以内
c. uD% 加速电压：100V～1000V
Z@bKYfGM 标准导入气体量：氧气或氩气
K%YR; )5A b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
u XVs<im 最大射频功率：150W（13.56MHz）
rhC
x&L 最大中和電流：1500mA
8>'vzc/* > 标准导入气体量：氩气
J'*`K>wV 7） 光学膜厚监控
-NUA 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
i)@H 波長范围：350～1100nm
Dj{=Y`Tw 波長精度：<±1nm
_@O.EksY3r 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
mBDzc(_\$' 波长再现性：±0.25 nm
\1?: 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
@|fT%Rwho< 8） 水晶膜厚监控
4]no#lVRJ 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
):nC&M\W~ 水晶开始频率：6.0MHz
Ha~} NO 频率变化测定分解能：±0.028Hz
P=.T|l1 测定时间间隔：0.25秒
K5 Z'kkOk lGX8kAv? 3. 标准工艺
838@jip 1) ITO
.:iO$wjp5 2)太阳电池减反膜
\8]("l}ms8 T<U_Iq 3)高反膜
0(+dXzcwM h%! ,|[| 4)截止滤光片
]Mj N)%hT O[R
5)UV-IRCUT
_s+_M+@et Im@Yx^gc Cf3<; Mp< 5．操作手册
U 8 n=Ro 1) 目的
Qo+Y 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
IaGF{O3. 2) 使用范围
Ee'wsL 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
qwY q9A$+ 3) 注意事项
S =3 H.D!f 1.开机前检查水电气是否正常
.}3K9.hkr 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
+{cCKRm 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
%=5 m!"F 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
DhT8Kh{ 4) 准备工作
RT"JAJTi/ 1.基片清洗
e4 -7&8N+ 2.补充源材料
yOyuMZo6 3.清理真空室
fi'\{!!3m^ 5) 操作步骤
|L~RC 1、开机
0yL%Pjn6 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
L[lS
>4e N 1.2 打开总电源
5>&C.+A 9 1.3 打开UPS电源
L% I8no-Q 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
^Kn:T`vB 机，进行冷泵再生过程。
bP{uZnOM2P 2、放样
L!^^3v n 2.1 清理真空室
#A^(1 2.2 补充源材料
@O )1Hnm 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
:jGgX>G G 2.4 放入样品
Q&e*[l2M6 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
nh>lDfJV< 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
ykNPKzW: 3、熔源与蒸发镀膜
77;|PKE / 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
94L>%{59 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
o<7'(Pz 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
2,G9~<t 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
(BY5omlh 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
{r1}ACw{ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
B{ cb'\ C 3.6 打开气体流量控制仪
Hw~?%g:<S 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
V)cL=4G 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
#)( D_* 4、取样
rF=\H3`p3 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
MO_;8v~0 行充气过程
_hi8m o 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
>\Ml \CyL 清理真空室，进入到下一个循环。
2w>yW] 5、关机
;% PI 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
d U#} Tk 5.2 关闭UPS，总电源
R<e ~Cb- 5.3 关闭水、气
