1. 背景知识
0Tg/R4dI 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
JFl@{6c 2. 设备能力
W<k) '| OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
"X"DTP1b 6BNOF66kH 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
,8E eSnI 2） 排气性能
Cz m`5 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
]r6,^" 极限真空：低于5.0E-5Pa
n%@xnB $ZX 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
}Geip@Ot 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
3mpEF<z 3） 基板加熱特性
Pgs4/ 最大设定温度: 350℃
t9W_ [_a9 加热40分钟以内，能到达300℃
Dy0cA| E 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
qvhTc6oH 4） 电子枪/电源(JEOL制)
7@|(z:uw 电子枪（BS-60050EBS）：
H&`p9d*(e (10kW，270°偏转)
vQYd!DSh 电压 -4～-10kV(连续可变)
d),@&MSN 5） 坩埚
`N
;!=7y7Y 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
>"N \ZC^ 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
Wvm f[!V; 6） 离子源
{_KuztJGA 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
=`Nnd@3v a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
C5 ^_R 栅网尺寸：10cm
{Km|SG[-q 最大射频功率：600W（13.56MHz）
@ U:WWTzf 束電圧：100V～1500V
HO }aLp 最大束電流：500mA
q1`uS^3` 离子流密度分布：±10%以内
+ #,t 加速电压：100V～1000V
,k+jx53XV 标准导入气体量：氧气或氩气
Oa
CkU b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
2mVH*\D 最大射频功率：150W（13.56MHz）
^FF{71; 最大中和電流：1500mA
[}}oHm3& 标准导入气体量：氩气
v #IC 7） 光学膜厚监控
cSoZq4 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
el 5F>) 波長范围：350～1100nm
9F ).i 波長精度：<±1nm
!\RR UH* 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
]oXd|[ G 波长再现性：±0.25 nm
u A*Op45 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
l4v)tV~ 8） 水晶膜厚监控
%`-NWAXL 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
+!'6:F 水晶开始频率：6.0MHz
Td
X6<fVV 频率变化测定分解能：±0.028Hz
&h8 + - 测定时间间隔：0.25秒
hDjsGB|Fz g}L2\i688 3. 标准工艺
~ m, z| 1) ITO
jKM-(s!( 2)太阳电池减反膜
/,$6`V nLJ]tpw^DH 3)高反膜
=HYMX "s mzfj!0zR* 4)截止滤光片
+SZ#s :#SE &.K=,+0_R/ 5)UV-IRCUT
T->O5t c i!ejK6Q 2gg5:9 5．操作手册
oI Qor%z 1) 目的
f*bs{H'5 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
]ZHC*r2i 2) 使用范围
?N&"WL^| 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
[ wr0TbtV 3) 注意事项
po\Q Me 1.开机前检查水电气是否正常
Jg/WE1p> 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
+8mfq\ Y1 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
e9o( hL 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
vAHJP$ x 4) 准备工作
\
Lrg: 1.基片清洗
\6 2|w HX 2.补充源材料
p V :X_M6 3.清理真空室
cuW$%$ F 5) 操作步骤
zG +o Z 1、开机
CQ"5bnR 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
.
p<*n6E 1.2 打开总电源
_u ]Wr%D@ 1.3 打开UPS电源
E{(7]Wri 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
FgKDk!ci 机，进行冷泵再生过程。
]@C&Q,~q 2、放样
G %Wjtrpj 2.1 清理真空室
#e{l:!uS\ 2.2 补充源材料
vsRn \Y 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
j@&F[ r 2.4 放入样品
u\Tq5PYXt 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
# zZQ@+5zw 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
||0mfb 3、熔源与蒸发镀膜
R*'rg-d 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
_@ev( B 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
:BN qr[=b 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
.?@$Rd2@W 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
rMdOE&5G 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
ApG_Gd. DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
) 8!""n~ 3.6 打开气体流量控制仪
z^ rf; 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
S)>L 0^M 1 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
d3St Z~&r! 4、取样
/hQTV!\u 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
7: )= 行充气过程
v8 I&~_b 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
:uSo 2d 清理真空室，进入到下一个循环。
b>er 'U 5、关机
O@ F0UM`! 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
F;kY5+a7~e 5.2 关闭UPS，总电源
6k|o<`~, 5.3 关闭水、气
