主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
>=rniHs=?7 • 定义MMI耦合器的
材料;
c='W{47 • 定义布局设定;
D]d! lMK/ • 创建一个MMI耦合器;
^{J^oZ'%~ • 插入输入面;
?!F<xi: • 运行
模拟;
?mV2|; • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
%iPIgma =}%:4 1. 定义MMI耦合器的材料 !<h9XccN 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
IecD41% 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
.rg "(I 图1.初始性能对话框
6}@T^? S\ZCZ0 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
r#j3O}(n 图2.轮廓设计窗口
0n X5Vo 7^)yo#i4 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
SANbg&$ X,M!Tp 图3.电介质材料创建窗口
i< imE# UC`sq-n 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
B~Z61 − Name : Guide
A$~H`W<yxB − Refractive Index (Re) : 3.3
_;BNWH − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
+|oLS_ 图4.创建Guide材料
[vBP,_Tjx #mM9^LJ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
%;_EWs/z8 − Name : Cladding
@G=:@; − Refractive Index (Re) : 3.27
3?gfDJfE − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
-'oxenu 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 $rjm MSxi
9l[C&0w#\ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
)g&nI<Mh − Name : Guide_Channel
iN Lt4F[i − 2D profile definition: Guide
V#4ox km − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
4*n1Xu7^x 图6.构建通道
BB/c5?V 2. 定义布局设定 I8W9Kzf 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
7k#>$sY+ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
:1UOT'_ − Width:2.8
_M>S =3w 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
E^w0X,0XlE − Profile:Channel-Guide
gpbdK? FAGi`X<L 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
C{-Dv-<A> 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
Nb0T3\3W − Length:5300− Width:60
a*,V\l|6 2:[<E2z 图8.设置晶圆尺寸
pP\^bjI 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
1?TgI0HS − 点击OK以激活布局窗口
)DW".c 图9.晶圆材料设置
w(Mi? 4) 布局窗口
VzM (u_) *rm[\ 图10.默认情况下布局窗口显示
tuo'Uk) 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
]'#^ ~. − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
:h0!giqoQ I$TD[W 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
OtZtl*5 v49i.c9 图12.最终布局显示
Me+)2S 9 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
.D=#HEshk 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
~ayU\4B Ej@N}r>X 图13 .绘制第一个线性波动
'F1<m^ p2GN93,u@P Yk7^?W