. 建模任务 wA.\i 1.1
模拟条件
rM"l@3hP 模拟区域:0~10
+/\6=).\ 边界条件:Periodic
-{A<.a3P}= 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
S
tyfB 单位长度:0.5
L0]_X#s># ItCv.yv35 92-I~
!d 1.2堆栈
结构 FPTK`Gd0 NuI9iU 2. 建模过程 E)3NxmM# 2.1设置模拟条件
mBC+6(5V d!{r v A\;U3Zu 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 4.(4x& hzC>~Ub5 G/ 5%.Bf@ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
C.QO#b M:V_/@W. 3. 结果分析 F5#YOck&, 3.1 指向矢分布和透过率
5(8@%6>ruj ~_ a-E r%N)bNk~ 3.2所有畴的V-T曲线
FgI3 IM+o.@f- /Q )\ + 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
59-c<I/}f