主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
9j2I6lGQ • 定义MMI耦合器的
材料；
8 (KfX% • 定义布局设定；
vedMzef[@> • 创建一个MMI耦合器；
MELGTP> • 插入输入面；
CU;nrd " • 运行
模拟；
Y z,!#ob$ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
#rpqt{m l JAb?u.,Ns_ 1. 定义MMI耦合器的材料 Z
:9VxZ 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
?iLd 5 Z 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
pu:D/2R2;k 图1.初始性能对话框
<ut DZ#k u,akEvH~a 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
Wh Zaq 图2.轮廓设计窗口
3N"&P@/0x 1 (i>Vt.+ 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
iW}l[g8sw! =[K)<5,@ 图3.电介质材料创建窗口
0#[f2X62B M#cr*% 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
e^NEj1 − Name : Guide
mrC+J* − Refractive Index (Re) : 3.3
8KtgSash − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
ewrWSffe 图4.创建Guide材料
eqZ+n o (Q5 @MfK ` 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
vif8 {S − Name : Cladding
%W4aKb?BT − Refractive Index (Re) : 3.27
) , ]2`w&k − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
cN WcNMm 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Yc82vSG'
EotwUT| 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
2d2@ J{ − Name ： Guide_Channel
, 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
\-
=^]]b= 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
m-ph } − Length：5300− Width：60
1BMB?I 
(/U)> %n 图8.设置晶圆尺寸
z!s. 9 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
VU! l50 − 点击OK以激活布局窗口
E- ) VPZ1D 
图9.晶圆材料设置
6F*-qb3 4) 布局窗口
%j'G.*TD 
2W3NL|P 图10.默认情况下布局窗口显示
U{uPt*GUd/ 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
0]T.Lh$3 − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
R"U/RS 
<NG/i i= 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
-)1-~7
r 
b
, juF2 图12.最终布局显示
>4n+PXRXX 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
gjj 93 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
[%@2o< 
DR:8oo&E 图13 .绘制第一个线性波动
5D,.^a1 A t})lr\ ))7LE|1l
