摘要
OJ8W'"`L&
f<9H#S: 光栅结构广泛应用于各种
光学应用场景,如
光谱仪、近眼显示
系统、脉冲整形等。快速物理光学软件VirtualLab Fusion通过使用傅里叶模态方法(FMM,也称为RCWA),为任意光栅结构的严格分析提供了通用和方便的工具。为此,复杂的一维或二维周期结构可以使用界面和调制介质进行配置,这允许任何类型的光栅形貌进行自由的配置。在此用例中,详细讨论了衍射级次的偏振态的研究。
U4%d# :-.R*W s#;|8_L
M ]kbmbO?M 任务说明
@!'Pr$` XD{U5.z>y X3(:)zUL Namw[TgJ 简要介绍衍射效率与偏振理论
%/~6Qq 某个衍射级次(𝑛)的效率表示有多少的辐射功率被衍射到这个特定的级次中。它是由复数值瑞利系数计算出来的,瑞利系数包含了每个衍射级次(矢量)电磁场的全部信息。瑞利系数本身是由FMM对光栅的特征值问题进行严格分析的结果。
Z/sB72K1 如果在TE/TM坐标系(CS)中给出瑞利系数,则可以计算衍射效率:
\E9Z
H3; "@W0Lk[ 其中,n_in/n_out为覆盖层和衬底层的折射率,ϑ_in/ϑ_out为所分析的阶次的入射角和衍射角。此外,𝐴表示辐射光的振幅。
]p(+m_F 如果瑞利系数沿𝑥、𝑦和𝑧给出瑞利系数,则必须应用以下方程:
D#x D-c cbsy&U 因此,必须考虑所给出的瑞利系数的坐标系。默认情况下,光栅坐标系中为
。
Mr<2I CY)/1 # J 光栅结构
参数 x8.7])?w 研究了一种矩形光栅结构。
dl'pl 为了简化设置,选择光栅配置,只允许零阶(R_0)反射传播。
HC*=E.J 根据上述参数选择以下光栅参数:
Wd_bDZQ 光栅周期:250 nm
!Y!Cv % 填充因子:0.5
UMm<HQ 光栅高度:200 nm
Y"D'|i 材料n_1:熔融石英(来自目录)
'I($IM 材料n_2:二氧化钛(来自目录)
+Qt=N6> j;<Yje&Wz apF!@O^}y C 6Bh[:V& 偏振态分析
;i^p6b j 现在,用TE偏振光照射光栅,并应用圆锥入射角(𝜑)变量。
m'KY;C 如前所述,瑞利系数的平方振幅将提供关于特定级次的偏振态的信息。
jiYYDGs77 为了接收瑞利系数作为检测器的结果,需要选择光栅级次分析器件中的单个级次输出,并选择所需的系数。
kwMuL>5 { r`l IQMk : a k@0M[d 模拟光栅的偏振态
&1%W-&bc6 6%JKY+n^ /YR*KxIx [^A.$, 瑞利系数现在提供了偏振态的信息:
{0q;:7Bt 在圆锥入射角为0(𝜑=0)时,
。这说明衍射光是完全偏振的。
.S`Ue,H 对于𝜑=22°,
。此时,67%的光是TM偏振的。
gq*- v:P> 对于𝜑>50°,系数接近为常数,因此偏振态也是常数。
r*N:-I~z Pg-~^"?y Passilly等人更深入的光栅案例。
v$K`C; Passilly等人的工作研究并
优化了亚
波长光栅下衍射光谱的偏振态,以获得不同状态之间的高度转换。
pB@8b$8(Z 因此,他们将模拟结果与制作样品的测量数据进行了比较。
24:;vcb ;
@
h{-@ AEX]_1TG n }7DL8 光栅结构参数
;y%l OYm 在本文中,研究了两种不同的制备光栅结构。
`x lsvK> 由于加工造成的光栅的理想二元形状的一些偏差是可以预料的,而且确实可以观察到:在基板和侧壁上存在不完全平行的欠刻蚀部分。
!X(Lvt/ 由于缺少关于制作结构的细节,我们将其简化为VirtulLab Fusion中的模拟。
pL]C]HGv 但是如果有可用数据,就可以详细分析光栅的复杂形状。
;tf1#6{ bESmKe( a^< 光栅#1——参数
}IC$Du# 假设侧壁倾斜为线性。
4-eb& 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。
::g"dRS<v 为了实现光栅脊的梯形形状,采用了倾斜光栅介质。
iJ~5A'?6 光栅周期:250 nm
v!E0/
gD 光栅高度:660 nm
$^.LZ1Jd 填充因子:0.75(底部)
SDcxro|8i 侧壁角度:±6°
.6!IO^`[ n_1:1.46
C?#if;c n_2:2.08
K7FuMB F8 ;M++ p^&' C_? b=9(gZ 9 光栅#1——结果
)-Zpr1kD 这两幅图对比之下匹配度很高,特别是图表的趋势。
tV9W4`Z2q 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。
o$'Fz[U IPbdX@FeV SIKy8?Fn ?g}n$%*5y! 光栅#2——参数
^TyusfOz 假设光栅为矩形。
DdJxb{y7 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。
RV.zxPw>> 矩形光栅足以表示这种光栅结构。
`4.Wdi-Si 光栅周期:250 nm
]cc4+}L~ 光栅高度:490 nm
uTpKT7t 填充因子:0.5
xB68RQe) n_1:1.46
ZFOYYht n_2:2.08
n]}+ : b+'G^!JR }H?8~S= /&$'v:VB 光栅#2——结果
}zj w\ 这两幅图对比之下再次显示出非常好的匹配度,特别是图表的趋势。
pco~Z{n 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。
9;&2LT7z FZ #ngrT