主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: x#)CH}J • 定义MMI耦合器的材料; WtS5i7:<Y • 定义布局设定; w{+G/Ea • 创建一个MMI耦合器; \%BII>VS • 插入输入面; k7ye,_&> • 运行模拟; q#C;iK4 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 b';oFUU>Q ^L4"X~eM 1. 定义MMI耦合器的材料 j; TXZ`|( 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: "WF@T 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ }+]
l_!v* FHOF6}if 图1.初始性能对话框
Mj!g1Q 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ^K3Bn &dsXK~9M> 图2.轮廓设计窗口
'LX]/D 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 4(nwi[1Y
}z,f8Yz XU5GmGu_+ 图3.电介质材料创建窗口
?Z(xu~^/ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: OrPi ("/ − Name : Guide T"_f9? − Refractive Index (Re) : 3.3 [Fk|%;B/~ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ZVIlVuZ} eHE?#r16Z 图4.创建Guide材料
(/$a*$ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ]iezwz`' − Name : Cladding as^!c! − Refractive Index (Re) : 3.27 nq%GLUH
− 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 XlJA}^e $*$X5 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 6^vz+oN
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: h?7@]&VJ − Name : Guide_Channel XMlcY;W − 2D profile definition: Guide p N+1/m, − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 B`w@Xk'D lvp8{]I< 图6.构建通道
2. 定义布局设定 /LC!|-1E
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: W&=F<n`
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 <wTD}.n
− Width:2.8 5H!6m_,w
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 d$5\{YLy
− Profile:Channel-Guide :{=2ih-}
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
8~|tl,
ZTzh[2u*
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: -'Oq.$Qq
− Length:5300 .azA1@V|
− Width:60 )-\[A<(
图8.设置晶圆尺寸
~y" ^t@!E
"w&G1kw5I
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: fI }v}L^
− Material:Cladding :9]"4ktoJ
− 点击OK以激活布局窗口 Z(c2F]
图9.晶圆材料设置
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e)#f`wM
4) 布局窗口 oGKk2oP
图10.默认情况下布局窗口显示
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chszP{-@X
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: k.6(Q_TS
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 dkAY%z two
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 cr>"LAi
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 eb=#{
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 8m*uT< 5D
图12.最终布局显示
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ss'`[QhR2
3. 创建一个MMI耦合器 l'FNp
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: 7q@>d(xho
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 HwxME%w
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 (aX6jdvo
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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