介绍
h{^v756L CsA (oX 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间)
Nt@|l7Xl* 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。
,Zn6T"[$ 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
l[$GOLeS 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
\DQu!l@1U {wz)^A
sy -a)1L'R KSchgon0V [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
?;CIS$$r [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
DlUKhbo$g 6T$=(I <4 3D FDTD仿真
W:RjWn @< 6v3l^~kc' 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间)
GB|>eZLv< 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。
[n[dr@J7v 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
(Ut8pa+yX 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
#s~;ss , ~6t!)QATnp fY&TI}Y x;7l>uR v-z%3x.f dzOco)y 仿真结果
gvR]"h (BLxK)0<" Wm6qy6HR ?0t^7HMP 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
v'S]g^ W\zZ&*8$ 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um)
F
`o9GLxM} /X_L>or _ARG
" ,kJ7c;:i (来源:讯技
光电)