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    [分享]OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥 [复制链接]

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    离线xunjigd
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2018-09-15
    关键词: 光纤耦合纳米
    介绍 Ls&-8  
    NFf?~I&mfu  
    模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) FyV $`c$  
      为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 z%$M IC  
    光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 o3le[6C/8=  
    注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 uao#=]?)  
    WKq{g+a  
    Qo80u? *  
    F*y7 4j,  
    [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) Mp@dts/|  
    [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); A!a.,{fZ  
    WH. 3  
    3D FDTD仿真 {G=|fgz  
    T t$] [  
    要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) [`1@`5SL-  
      为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 2hb>6Z;r]K  
    光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 E/^N   
    注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 F2Mxcs* M  
    < WQ ~X<1D  
    ,/dW*B  
    zTw<9Nf  
    ixB"6O  
    7_L$XIa  
    仿真结果 R vd'uIJ  
    iz27yXHZ~  
    v `;Hd8  
    F1% ^,;  
    顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合 d}@n,3  
    k: z)Sw  
    底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) RvyCc!d  
    z7&m,:M  
    <lRjh7  
    jT4 m(j  
    (来源:讯技光电
     
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    离线小志250
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    只看该作者 1楼 发表于: 2018-09-27
    O ]t)`+%q  
    y]uBVn'u  
    很好,学到了很多东西。。受益匪浅