11.1 定义材料要定义材料,请执行以下步骤。 A^bg*t, 步骤 执行 'fy1'^VPAV 1) 从“文件”菜单中,选择“新建”。出现“初始属性”对话框(参见图2) u"?cmg<.1 z )a8
^]` 图2.初始属性对话框 )0yY|E\
使用“初始属性”对话框指定基本参数。 这些参数可以稍后在会话框中进行更改,因为希望这些参数较少地改变,因此在项目创建开始时对其进行设置。 例如,预期诸如折射率之类的属性在设计会话中将比设计中的其他属性(例如系统几何形状)更少地改变。 轮廓是用来确定横向平面中波导几何形状的规格。通道波导包含多层结构,光纤具有圆形横截面,扩散波导具有渐变折射率指数。 这些定义在设计会话中比几何体布局更改地更少。 ]Tx8ImD#)A 7K
{/2k 2) 单击“轮廓”和“材料”。将出现“轮廓设计器”窗口(参见图3)。 ZiSy&r:( j42U|CuK 图3.轮廓设计器窗口 ~{=+dQ
OptiBPM Designer1是我们正在使用的项目的临时名称。 保存项目时,可以给它一个更有意义的名称。 5m=3{lBi UyEyk$6SU 3) 在OptiBPM_Designer1的目录下,在“材料”文件夹下,右键单击“电介质”文件夹。 9bNjC&:4/] 出现一个右键菜单。 TStu)6%`
}f; Zx)! 4) 选择新建。 #J\
2/~ 出现Dielectric1对话框(参见图4)。 Pi40w+/ .px*.e s 图4.介质对话框
s@jzu 5) 键入以下信息: "m3u}!`3 名称:Core u/hFf3 折射率(Re :):1.46 cPPE8}PVH 6) 单击各向异性选项卡并键入折射率Re的实部: 1.46 kbI:}b7H 7) 要保存材料,请单击“存储”。 vMRM/. 名称Core出现在目录中的Dielectric文件夹和对话框标题栏中。 uV#/Lgw{M 注意:您可以打开对话框,或关闭对话框以防止“轮廓设计器”窗口变得混乱。 ]O,!B''8k Yih^ZTf]O? 折射率有两种定义,因为在2D计算中,折射率通常不是物理指标,而是有效的指标。 2D标签是保存有效折射率的地方; 当有效折射率放置在2D选项卡中时,仅在执行2D模拟时才使用。 3D BPM和模式解算器将使用其他选项卡中的定义。 z%hB=V!~91 8) 单击各向异性选项卡 ]mn(lK 在项目中的某个时刻,可能会使用其他BPM模拟器,可以接受各向异性材料。 各向异性材料的特征在于介电常数张量(见图5)。 材料Core可以在这种环境中使用(尽管它本身不是各向异性的),因此默认情况下,OptiBPM会自动设置适当的对角线介电常数张量,即主对角线中的n2。 如果需要指定各向异性材料,请取消选中默认复选框并输入相应的常数(参见图5)。 -9UQs.Nv B=(m;A#G 图5.3D各向异性标签
Vx~[;*{,C9 9) 重复步骤3)至6),并键入以下信息(参见图6) 7 1z$a 名字:Clad >wNE!Oa*B 折射率(Re :):1.44 W&A22jO.1 10) 要保存信息,请单击“存储”。 F7E# x Clad出现在目录和对话框标题栏中的Dielectric文件夹中。 TlYeYN5V 51*o&:eim 图6 包层定义 94 H\,}i8
11.2 定义2D和3D通道轮廓 vh"zYl` 要提供2D和3D轮廓的定义,请执行以下步骤。 G;Q)A$- 步骤 操作 IMmoq={(z 1) 在OptiBPM_Designer1下的“Profiles”文件夹下的目录下,右键单击“Channel”文件夹。 zRx-xWo 出现一个右键菜单。 h:Q*T*py 2) 选择新建。 $-|`#|CBd 出现“通道”对话框。 '{5|[ 注意:要确保您可以查看所有场,请最大化ChannelPro对话框。 t9Ht
54 3) 输入轮廓文件名称:BuriedWg J)6RXt*! 4) 提供2D配置轮廓定义:
D^E1 • 在2D轮廓定义下,在“材料”组合框列表中,单击新定义的材质“Core”。 ZL:nohB 通过选择Core,如果2D模拟器被调用,与配置文件名称BuriedWg相关联的波导内的任何点将具有Core的2D规范中定义的折射率。 .8<bz4 ]uI#4t~ 图7 2D轮廓定义 j,K]TJ
通道轮廓文件由外延方向的层和这些在3D轮廓面板中被定义层组成。 iN %kF'&9 5) 要指定3D轮廓定义: qSlC@@.> a. 在3D轮廓定义下,键入以下信息: I:P/
?- 层名称:Channel1(通道1) O3bo3Cm$ 宽度:1.0 .RxH-]xk 厚度:2 ,P3nZ 偏移量:0 ]E .+)> b. 在材料清单中,选择Core。 1mz;4xb c. 单击添加。 9fp1*d 您输入的信息显示在3D配置文件定义窗口中。 V*@pmOhz 6) 要保存通道轮廓文件,请单击“存储”。 Pn\ Lg8 BuriedWg出现在目录中的Channel文件夹中,在Profile Designer标题栏和设计底部的选项卡上(参见图8)。 vrXUS9i. 图8 定义通道轮廓
7) 要返回OptiBPM布局设计器窗口,请最小化“轮廓设计器”窗口。 p~Fc*g[! 出现OptiBPM GUI和初始属性对话框。 JK4vQWy 5`53lK.C 11.3定义布局设置 y/Fv4<X 要定义布局设置,请执行以下步骤: `f,SY 步骤 操作 K9\`Wu_qL 1) 在“初始属性”对话框中,单击“默认波导”标签。 h|$.`$ 2) 键入以下值: 8_US.52V 宽度:4.0 H4ml0SS^ 注意:所有波导将使用该值作为默认宽度。 '#mv- /<t* 3) 在轮廓列表中,单击新定义的BuriedWg(参见图9)。 Q|q.~x<RQ 注意:可以随时更改默认的或者相关联的任意单个波导(在“波导布局设计器”中,选择“编辑”>“默认波导”)。 7%)
F] J+r\EN^9 图9初始属性对话框 - 默认波导选项卡 MDGD*Qn~
要在平面视图中指定分析区域的大小: &k*sxW' 4) 单击“晶圆尺寸”选项卡。 DF|(CQs9 键入以下值(参见图10)。 8@^=k.5IK 长度:800 Oz<{B]pEul 宽度:40 P!q!+g
2fM*6CaS 图10初始属性对话框 - “晶圆尺寸”选项卡
指定任意点的材料并不包含波导内部(对于2D计算): FO#`}? R` 5) 单击“2D晶圆属性”选项卡 JE9SPFQx9M 6) 在晶圆折射率中,在“材质”列表中,单击“包层”。 }ac0} X-%XZDB6 在3D计算的情况下,需要提供更多的信息,因为通常用于基底的材料与用于包层的材料不同。 另外,需要规定层的厚度。 在这种情况下,我们在掩埋波导中以相同的材料来定义基底和包层。 注意,这不是基底或包层的实际厚度。 相反,这些数字指定计算窗口的边界。 基底的理想厚度将是足够大以容纳被分析的波导模式,但又不能太厚以避免网格的精度受损。 在实际工作中,随着波导设计经验的增加,这些尺寸将需要在后期进行优化。 但是,可以稍后更改这些尺寸(在“波导布局设计器”中,选择“编辑”>“晶圆属性”)。 0l=g$G
\% 要指定与任何不在任何波导内的点相关联的材料进行3D计算: B~K@o.% 7) 单击“3D晶片属性”选项卡。 &sleV5V 8) 在“包层”面板中,选择“材料:包层”,然后键入“厚度”:17。 I]t ",s/j 9) 在“基底”面板中,选择“材料:包层”,然后键入“厚度”:15 $Zf hQ5bat
\ws<W7 图11初始属性对话框 - “3D晶圆属性”选项卡
10) 要将设置应用于布局,请单击“确定”。 +L
D\~dcV+ 将显示项目布局窗口。 .\ K0+b; 注意:最大化项目布局窗口并调整放大倍率(+ - 按钮),使布局在屏幕上显示为适当的大小。 [}Vne;V 将项目保存为GettingStarted.bpd,以恢复目前已完成。 如果要保留记录此项目中间步骤的文件,请使用SaveAs功能。 保存文件后,轮廓设计器中树的名称为“GettingStarted”,保存的名称将替换临时名称“OptiBPMDesigner 1”(见图7)。 同样,如果您在OptiBPM中打开其他项目,则将在轮廓设计器中创建与新打开的项目名称相同的新分支。 eT* )r~
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未完待续