主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: xnxNc5$oE • 定义MMI耦合器的材料; XhUVDmeUMb • 定义布局设定; {Z1KU8tp • 创建一个MMI耦合器; MM6PaD{ • 插入输入面; Q^*4FH!W • 运行模拟; u#UtPF7q • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 wZVLpF+7 L7[f-cK2: 1. 定义MMI耦合器的材料 De2$:? 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: ,P%i%YPj 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ NMS+'GRW WO6R04+WV 图1.初始性能对话框
E24j(> 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” k$GtzjN p'A43 图2.轮廓设计窗口
rl,i,1t 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 #v; :K8
U/-k'6=M "RTv[n! 图3.电介质材料创建窗口
45k.U $<| 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: UF$O@l − Name : Guide -]t>'Q? − Refractive Index (Re) : 3.3 h>F"GR?U_( − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 EQ.K+d*K][ a$\Bt_ 图4.创建Guide材料
R90#T6^ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 4'TssRot@h − Name : Cladding =;(L$:l~ − Refractive Index (Re) : 3.27 |{JI=$ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 7'#_uAQR ?aI.Z+# 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 kj6H+@
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6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: G[6i\Et − Name : Guide_Channel T;]Ob3(BpW − 2D profile definition: Guide p[&b@U# − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 a?xZsR zp5ZZcj_ 图6.构建通道
2. 定义布局设定 U }AIOtUw
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: wbvOf X
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 {u+=K-Bj
− Width:2.8 mZG n:f}=
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 )x~/qHt
− Profile:Channel-Guide 10)RLh|+
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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'Yi="kno
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 0
vYG#S
− Length:5300 |3^U\r^zo
− Width:60 |QD#Dx1_
图8.设置晶圆尺寸
v^)B[e!
@vB-.XU
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: o/Q|R+yXV
− Material:Cladding +z:>Nl
− 点击OK以激活布局窗口 rNurzag
图9.晶圆材料设置
)U7fPKQ
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4) 布局窗口 v*&jA8D
图10.默认情况下布局窗口显示
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~KV{m
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: (#Xs\IEV F
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 jgS3#
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 qWx{eRp d
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 t\}_WygN
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 S^;;\0#NK
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 ,L lYRj 5
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: jD%|@ux
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 v~yw-}fk%
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 2r;h">
图13 .绘制第一个线性波动
IsShAi
QQ:2987619807
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