一、
二极管的特性
xSK#ovH2 y*vSt^ 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性
曲线如图1所示:
` K{k0_{ }F _c0zM 1.正向特性
~qGW94 eJHh } 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。
Q
zaD\^OF ^9q#,6 2.反向特性
:\His{% sAL
]N][Y 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。
W_Y8)KxG:L 0x!&> 3.击穿特性
*$NZi*z3 g)#{<#*2 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。
;t\h"K<,| p,$N-22a %(lO>4>| 图1、二极管的伏安特性曲线
}a6t <m`V bP9ly9FH {a:05Y 4、频率特性
Kh(`6 f *<