日本东曹公司通过向透明导电薄膜用的氧化锌掺杂铝,开发出"ZAO"靶材,并已开始供应样品。该材料有望替代ITO(氧化铟锡)靶材,用于液晶显示器TFT(薄膜晶体管)的像素电极、TN(扭曲向列)液晶和太阳能电池。已制成可用于TFT的膜厚为100nm、电阻率为10-4Ωcm的ZAO透明导电薄膜。 +9Vp<(
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该公司在80年代后期就开发了掺杂铝的氧化锌靶材,并获取专利。但是,由于不能获得低于ITO的电阻率,且当时铟的供应比较充足,因此该技术一直没有实际应用。直到2003年以后,铟价上涨,市场迫切需要ITO替代材料,才促使该公司对原来的技术进行改进,开发出ZAO靶材。该技术可提供不用更换现有LCD生产线设备就能使用的材料。 k6.<