新型太赫兹发射器

新型太赫兹发射器 U9 iI2$  
新型无偏压太赫兹发射器TeraBlast属于光泵浦太赫兹源，可以采用广泛的飞秒激光源（例如低功率振荡器或者放大激光，范围700-1600nm），是近场成像应用的理想光源。TeraBlast也可以用于远场光谱与其他太赫兹应用。 ,,H5zmgA  
  TeraBlast太赫兹发射源基于专利技术，它采用用于产生光学无偏压太赫兹辐射的双金属光栅结构。发射器提噢乖那个大活跃面积，经由飞秒激光激发，激发平均功率可以从5mW至1W, 不会造成一些小尺寸光导天线容易产生的转换效率饱和或者器件损坏。此外TeraBlast太赫兹发射器是发生在光导探测（近场或者Butt耦合波导激发）的太赫兹脉冲产生应用的理想解决方案。 gawY{Jr8I  
关键参数: := V?;
  
· 纳米尺寸双金属结构设计的高转换效率 C[FHqo9M?H  
· 大面积高发射功率 @A[)\E1  
· 寄适用于Teraspike太赫兹探针 _zj^k$ j  
· 无与伦比的简单操作 1W|jC  
· 无需准直/聚焦操作 Zkp~qx  
· 点光源或面发射器 E'6>3n  
· 线性偏振发射  AG(6.  
· 无偏压导致的极端坚固
{B$CqsvJ  
· 无器件损坏 hFV,FBsAO  
· 无暗电流 TQ
R5V\{&%  
· 无寄生偏置信号产生 ^O}a,  
工作原理与辐射特征 7?dWAUF  
通过近红外或红外飞秒脉冲激光激发太赫兹发射器，可以产生THz 光。推荐小于<150fs飞秒激光。所产生的太赫兹辐射是线性偏振的，以下图片显示太赫兹发射器的场分布（使用Teraspike微探针）。共振太赫兹器件限制在光阑内，只有几个毫米的尺寸，而太赫兹辐射可以覆盖很宽范围。 k*1Lr\1  
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激发图: 位于多反对称金属/半导体结合点的基于肖特基场激发诱导的双边光电流 BJ UG<k  
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尺寸: ^J^,@Hf_  
Ip8ml0oG  
技术参数: LOUP  
Type l7QxngWw  
TeraBlast TD-1550-L-165 juEPUsE  
激发波长 '_v~+  
700 .. 1600 nm R ]Ev=V'U  
平均激发功率 a_N7X  
5 mW .. 1000 mW t<rIg1  
平均发射功率 ,dRaV</2  
> 2.5 μW (a) p]aEC+q  
有效面积 oU=vl!\J  
ca. 11 mm (b) lY,^  
外部尺寸 (.-4Jn  
1/2 inch Zc7;&cz  
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6zg  
选项: /,G `V  
高通滤光片(-HPF) <+QdBp'd;
 
输出口可以配高通滤光片，滤除短波长光 /A9RmTb  
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联系方式：021-60450828