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什么是LCOS 7 "'P fP4c
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LCOS（Liquid Crystal on Silicon）属于新型的反射式micro LCD投影技术，其结构是在矽晶圆上长电晶体，利用半导体制程制作驱动面板(又称为CMOS -LCD)，然后在电晶体上透过研磨技术磨平，并镀上铝当作反射镜，形成CMOS基板，然后将CMOS基板与含有透明电极之上玻璃基板贴合，再抽入液晶，进行封装测试。 (VM CVZ
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简单来说，LCOS是直接与映像管(CRT)投影技术、高温多晶矽液晶(Ploy-Si LCD)穿透式投影技术、DMD(Digital Micromirror Device)数位光学处理(DLP; Digital Light Projector)反射式技术相关。这三项技术已发展成熟，但LCOS则成为投影显示技术的新主流。 )JTQZ,f3]
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ＬＣＯＳ技术借硅基ＣＭＯＳ集成电路技术，在单晶硅片上ＣＭＯＳ阵列取代a一Si ＴＦＴ ＬＣＤ中玻璃基板上a一Si ＴＦＴ阵列，相比之下前者生产技术更成熟，还有单晶硅迁移率远高于a一Si迁移率，因此不仅适合于高密度、高分辨率、高开口率显示，而且可以周边驱动电路集成一体，甚至可以集成信息处埋系统。 tP! %(+V
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省电、便宜与高解析度为LCOS最大优点 $nmt&lm
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LCOS可视为LCD的一种，但传统的LCD是做在玻璃基板上，但LCOS则是长在矽晶圆上。和LCOS的相对比的产品，最常用在投影机上的高温多晶矽LCD为代表。后者通常用穿透式投射的方式，光利用效率只有3%左右，解析度不易提高；LCOS则采用反射式投射，光利用效率可达40%以上，且其最大的优势是可利用最广泛使用、最便宜的CMOS制程，毋需额外的投资，并可随半导体制程快速的微细化，易于提高解析度。反观高温多晶矽LCD则需另投资设备，且属于特殊制程，成本不易降低。 sv% E5@
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ＬＣＯＳ技术特性 lJFy(^KQG,
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与穿透式ＨＴＰＳ－ＬＣＤ及ＤＬＰ相比，ＬＣＯＳ具有下列优势： `O2P&!9&
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光利用效率高：ＬＣＯＳ与ＬＣＤ投影显示器类似，主要的差别就是ＬＣＯＳ属反射式成像，所以光利用效率可达４０％以上，与ＤＬＰ相当，而穿透式ＬＣＤ仅有３－１０％而已。 a~LA&>@
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体积小：ＬＣＯＳ可将驱动ＩＣ等外围线路完全整合至ＣＭＯＳ基板上，减少外围ＩＣ的数目及封装成本，并使体积缩小。 nm<VcCc
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分辨率高：由于ＬＣＯＳ的晶体管及驱动线路都制作于硅基板内，位于反射面之下，不占表面面积，所以仅有像素间隙占用开口面积，不像穿透式ＬＣＤ的ＴＦＴ及导线皆占用开口面积，故理论上ＬＣＯＳ不论分辨率或开口率都会比穿透式ＬＣＤ高。分辨率普遍达到ＳＸＧＡ等级（１２８０×１０２４） ER9 {D$
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制造技术较成熟：ＬＣＯＳ的制作可分为前道的半导体ＣＭＯＳ制造及后道的液晶面板贴合封装制造。前道的半导体ＣＭＯＳ制造已有成熟的设计、仿真、制作及测试技术，所以目前良率已可达９０％以上，成本极为低廉；至于后道的液晶面板贴合封装制造，虽然据说目前的良率只有３０％，但由于液晶面板制造已发展得相当成熟，理论上其良率提升速率应远高于ＤＭＤ芯片，所以ＬＣＯＳ应比ＤＬＰ更有机会取代穿透式ＨＴＰＳ－ＬＣＤ成为投影显示技术的主流。
