APD雪崩光电二极管

发布:rs930 2012-07-13 14:29 阅读:2365
提供两种不同类型的雪崩光电二极管(APD),一种是硅基的,另一种是砷化镓为基的。根据材料和设计的不同,范围可以从550nm 到1650nm. O$=)  
z<F.0~)jb  
IAE系列 XHlx89v7  
zoV-@<Eh  
InGaAs 雪崩二极管器件 #)BdN  
FT* o;&_QS  
品牌:Lasercomponents Pl }dA  
5)yQrS !{:  
封装:S5,S6,S7,T6,T8,Y1 9R"bo*RIS  
"=W7=V8w  
型号:IAE200S5(TO-46 2pin),IAE200S6(TO-46 [-sE:O`yt  
3pin),IAE200S7(TO-46 low profile), xe: D7  
IAE200T6(TO-37 with TEC),IAE200T8(TO-37 with TEC),IAE200Y1(ceramic <'4DMZ-G  
submount) kgz2/,  
击穿电压(Vb ld=10uA):40-80 j]"Yz t~u  
尺寸(um):Φ200 9 0[gXj  
波峰(nm):1550 .Wq`q F(;  
响应波段(nm):1000-1650 WbS2w @8  
IAG 系列 InGaAs wo[W1?|s  
雪崩二极管器件 BV&}(9z  
品牌:Laser Components 封装(-):S5,S6,S7,T6,T8,Y1光敏面积(-):Ø200峰值响应(A/W):10@1550nm By@<N [I@  
暗电流(nA):8 d+|8({X]D8  
噪声等效功率(pW/sqrt Hz):0.032上升时间(ns):0.23带宽(GHz):1.5@M=10击穿电压(V):63温度(V/°C):0.075 -NVk>ENL4  
主要特点有低噪声、快速响应、高灵敏度、高带宽、高增益、低造价、受光面大小可选,主要用于雪崩光电二极管单光子探测器激光探测、测距、激光测距、激光经纬仪、警戒雷达、荧光检测、微弱光检测及高端医疗设备等。联系人:业务部 [PrR 3 0:  
电话:010-57156408 NDRk%_Eu(  
传真:010-57156408 ujcNSX*  
手机:15300060408 (iK0T.  
MSN:rongsung@rongsung.com  IjDG  
Email:rongsung@rongsung.com {nbD5 ?   
网址:www.rongsung.com
分享到:

最新评论

我要发表 我要评论
限 50000 字节
关于我们
网站介绍
免责声明
加入我们
赞助我们
服务项目
稿件投递
广告投放
人才招聘
团购天下
帮助中心
新手入门
发帖回帖
充值VIP
其它功能
站内工具
清除Cookies
无图版
手机浏览
网站统计
交流方式
联系邮箱:广告合作 站务处理
微信公众号:opticsky 微信号:cyqdesign
新浪微博:光行天下OPTICSKY
QQ号:9652202
主办方:成都光行天下科技有限公司
Copyright © 2005-2025 光行天下 蜀ICP备06003254号-1