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    [求助]燈具輻射過熱 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2012-02-14
    求助!我有一個照明用LED工作燈，當一塊布蓋上過沒多久LENS的中心處就燒了起來，把LENS燒了一顆洞，用熱像儀測得溫度高達兩百多度，請問有什麼改善方式？還是我能在外部加一層玻璃阻擋紅外線？這樣有效果嗎？ PIri|ZS  
     
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    只看该作者 1楼 发表于: 2012-02-14
    LED光源是冷光源，没有红外成分。 g NI1W@)  
    至于你这里的热量高，估计是LED灯具散热部位的热量传导过去导致的。 =3bk=vy  
    ,&o9\|ih7]  
    建议，找到热量集中的部位，在其和Lens之间加上隔热层。希望能帮助你！
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    只看该作者 2楼 发表于: 2012-02-14
    回 spiritwolf 的帖子
    spiritwolf:LED光源是冷光源，没有红外成分。 ZRhk2DA#FF  
    至于你这里的热量高，估计是LED灯具散热部位的热量传导过去导致的。
    建议，找到热量集中的部位，在其和Lens之间加上隔热层。希望能帮助你！ (2012-02-14 15:44)  &^ERaPynd  
    2[w9#6ly  
    晶片發熱應該是有輻射熱吧 dwn|1%D  
    而且用紅外線熱像儀量測熱點真的是在LED杯燈的正中間 kV8R.Baf3  
    所以應該是LED的輻射熱 P0UR{tK  
    如果是傳導熱的話照理不會那麼集中
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    只看该作者 3楼 发表于: 2012-02-14
    那是测量到某点的温度，LED光源正面辐射是没有红外线的。 r%: :q^b3  
    热辐射集中在正中间那是自然，因为该处是芯片导出热量的最中心位置。
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    只看该作者 4楼 发表于: 2012-02-14
    把單晶片換成四晶片 Ds=d~sNu  
    電流一樣光強度四晶低一點 jhT/}"v  
    但使用單晶片時中心溫度比四晶還來的高3X度
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    只看该作者 5楼 发表于: 2012-02-15
    你使用的四颗晶片和单颗的应该是功率不同的芯片了？？ NX8w(~r,:  
    那么，单晶片换为四晶片，发光面积变大，在焦点区域外的光线增多，光强就会变低。 B <Jxj  
    至于温度高，也可以想象，四颗芯片的散热面积较一颗芯片的散热面积增大很多。 0>Kgz!I  
    m%U=:u7#M  
    举一个例子，45mil一颗的LED芯片，功率3W；35mil边长 0.7W的芯片，4颗；散热上，4颗0.7W的占优。 `34+~;;Jh  
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    只看该作者 6楼 发表于: 2012-02-15
    回 spiritwolf 的帖子
    spiritwolf: k8sjW!2  
    你使用的四颗晶片和单颗的应该是功率不同的芯片了？？ [{-;cpM \  
    那么，单晶片换为四晶片，发光面积变大，在焦点区域外的光线增多，光强就会变低。 z!9w Lo^r  
    至于温度高，也可以想象，四颗芯片的散热面积较一颗芯片的散热面积增大很多。
    举一个例子，45mil一颗的LED芯片，功率3W；35mil边长 0.7W的芯片，4颗；散热上，4颗0.7W的占优。 bq}o#d5p-_  
    ....... tw]Q5:6  
    BG20R=p  
    單晶大概80mil的 \R#OJ=F  
    所以發光面積和散熱面積應該差不多 Pu]Pp`SP  
    剛剛測了一下蓋的一塊布後點亮幾分鐘表面溫度高達180還持續增高 H|!|fo-Tx  
    布上燒了幾顆洞都在lens正中心 o7@81QA!e  
    以下是我的圖 SxRa?5  
    是不是光線太集中了 ?F%,d{^  
    把表面輻照度再平均點? ]OA8H[U-eA  
    ,dk!hm u  
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    只看该作者 7楼 发表于: 2012-02-15
    你好！有几个问题：芯片间距多少？是否进行过散热测试？Cree的芯片所能承受的结温也就120摄氏度左右，台湾的芯片大概80到90摄氏度，照你的描述，这些芯片很快就会老化光衰，以至于不能使用。
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    只看该作者 8楼 发表于: 2012-02-15
    能否提供该灯具LED光源的具体图片或者图纸，这样才能对症下药！
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    只看该作者 9楼 发表于: 2012-02-15
    芯片溫度反而沒很高 {]6Pd`-  
    問題出在光學部分 z 8\z`#g!  
    因為試了用別種光學都不會出現如此高溫 I7q}<"`  
    溫度在70~80度內
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