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    [求助]燈具輻射過熱 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2012-02-14
    求助!我有一個照明用LED工作燈，當一塊布蓋上過沒多久LENS的中心處就燒了起來，把LENS燒了一顆洞，用熱像儀測得溫度高達兩百多度，請問有什麼改善方式？還是我能在外部加一層玻璃阻擋紅外線？這樣有效果嗎？ .f+TZDUO  
     
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    只看该作者 1楼 发表于: 2012-02-14
    LED光源是冷光源，没有红外成分。 <id}<H  
    至于你这里的热量高，估计是LED灯具散热部位的热量传导过去导致的。 s=[h?kB  
    n@G[  
    建议，找到热量集中的部位，在其和Lens之间加上隔热层。希望能帮助你！
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    只看该作者 2楼 发表于: 2012-02-14
    回 spiritwolf 的帖子
    spiritwolf:LED光源是冷光源，没有红外成分。 5L!y-3  
    至于你这里的热量高，估计是LED灯具散热部位的热量传导过去导致的。
    建议，找到热量集中的部位，在其和Lens之间加上隔热层。希望能帮助你！ (2012-02-14 15:44)  7nuU^wc  
    h*v8#\b$J_  
    晶片發熱應該是有輻射熱吧 nvPwngEQm  
    而且用紅外線熱像儀量測熱點真的是在LED杯燈的正中間 g1( IR)U!z  
    所以應該是LED的輻射熱 >vA2A1WhW  
    如果是傳導熱的話照理不會那麼集中
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    只看该作者 3楼 发表于: 2012-02-14
    那是测量到某点的温度，LED光源正面辐射是没有红外线的。 a0#J9O_  
    热辐射集中在正中间那是自然，因为该处是芯片导出热量的最中心位置。
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    只看该作者 4楼 发表于: 2012-02-14
    把單晶片換成四晶片 c(~[$)i6  
    電流一樣光強度四晶低一點 \vO,E e~#W  
    但使用單晶片時中心溫度比四晶還來的高3X度
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    只看该作者 5楼 发表于: 2012-02-15
    你使用的四颗晶片和单颗的应该是功率不同的芯片了？？ XcUwr  
    那么，单晶片换为四晶片，发光面积变大，在焦点区域外的光线增多，光强就会变低。 AiO$<CS  
    至于温度高，也可以想象，四颗芯片的散热面积较一颗芯片的散热面积增大很多。 #$8% w  
    *(T:,PY  
    举一个例子，45mil一颗的LED芯片，功率3W；35mil边长 0.7W的芯片，4颗；散热上，4颗0.7W的占优。 m3/O.DY%0  
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    只看该作者 6楼 发表于: 2012-02-15
    回 spiritwolf 的帖子
    spiritwolf: 8"2=U6*C  
    你使用的四颗晶片和单颗的应该是功率不同的芯片了？？ :toh0oB[  
    那么，单晶片换为四晶片，发光面积变大，在焦点区域外的光线增多，光强就会变低。 l3Q(TH~I  
    至于温度高，也可以想象，四颗芯片的散热面积较一颗芯片的散热面积增大很多。
    举一个例子，45mil一颗的LED芯片，功率3W；35mil边长 0.7W的芯片，4颗；散热上，4颗0.7W的占优。 %,}A@H ,  
    ....... /'l{E  
    i1NY9br  
    單晶大概80mil的 z<U-#k7nz  
    所以發光面積和散熱面積應該差不多 lm-dW'7&  
    剛剛測了一下蓋的一塊布後點亮幾分鐘表面溫度高達180還持續增高 CY s,`  
    布上燒了幾顆洞都在lens正中心 _VRpI)mu  
    以下是我的圖 4ew" %Cs*  
    是不是光線太集中了 ~962i#&4  
    把表面輻照度再平均點? }Qn&^[[miL  
    2Mc3|T4)U  
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    只看该作者 7楼 发表于: 2012-02-15
    你好！有几个问题：芯片间距多少？是否进行过散热测试？Cree的芯片所能承受的结温也就120摄氏度左右，台湾的芯片大概80到90摄氏度，照你的描述，这些芯片很快就会老化光衰，以至于不能使用。
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    只看该作者 8楼 发表于: 2012-02-15
    能否提供该灯具LED光源的具体图片或者图纸，这样才能对症下药！
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    只看该作者 9楼 发表于: 2012-02-15
    芯片溫度反而沒很高 jSD#X3qp  
    問題出在光學部分 ][gq#Vx@  
    因為試了用別種光學都不會出現如此高溫 W98i[Q9A7  
    溫度在70~80度內
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