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    [求助]MGF2冲氧镀膜好还是不冲氧镀膜好啊？ [复制链接]

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    离线飞2012
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    只看该作者 20楼 发表于: 2012-12-17
    不要充氧
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    离线dyfdudu
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    只看该作者 21楼 发表于: 2012-12-28
    不用充，充氧只用在镀氧化物时防止失氧，如二氧化钛，充氧能抑制一氧化钛的生成。
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    离线城市老虎
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    只看该作者 22楼 发表于: 2012-12-30
    不能。 _jW>dU^B  
      氟化物，充氧气变MgO了
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    离线陶月天
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    只看该作者 23楼 发表于: 2013-01-24
    一看您就没接触过镀膜，没听说谁做MGF2时候还要充氧气！！！ X|,["Az 8  
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    离线a060103112
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    只看该作者 24楼 发表于: 2013-02-27
    回 dede 的帖子
    dede:SiO2需要IAD吗？ yyjw?#\8  
     (2012-03-04 22:51)  7*/J4MN  
    'AWp6L@  
    膜层多的话，要，否则不要
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    离线luffy17520
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    只看该作者 25楼 发表于: 2013-03-31
    不能充氧吧
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    离线chen1858
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    只看该作者 26楼 发表于: 2013-04-01
    学习了，感谢
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    离线ken_jinyan1
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    只看该作者 27楼 发表于: 2013-04-02
    我这里有个问题，MGF2不充氧是没错的。那能不能在100℃以下，开离子源（充氩气）镀？ ?-,6<K1  
    怎么光驰的人说MGF2不能用离子源呢？
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    离线luffy17520
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    只看该作者 28楼 发表于: 2013-04-12
    回 ken_jinyan1 的帖子
    ken_jinyan1:我这里有个问题，MGF2不充氧是没错的。那能不能在100℃以下，开离子源（充氩气）镀？ ~ffwLgu!  
    怎么光驰的人说MGF2不能用离子源呢？(2013-04-02 11:54)嬀/color] A[JM4x   
    Qxq-Mpx{  
    还是不用离子源比较好
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    离线aegeon
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    只看该作者 29楼 发表于: 2013-04-16
    SiO2需要IAD吗
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