直流反应磁控溅射法制备VO2薄膜摘要：VO2 是一种相变材料。发生相变时 ,VO2 的电阻、 透过率、 反射率都会发生显著的变化;反应磁控溅射法是制备VO2 薄膜的一种比较理想的方法。文中 ,重点讨论氧氩气质量流量比 m (O2) / m (Ar) 、 基片温度以及沉积后薄膜的退火处理对制备薄膜成分、 结构和性能的影响。通过分析得出 m(O2) / m (Ar)比在 1∶ 13 和 1∶ 12 间具有较高的 VO2 含量;基片温度在 250℃ 时具有较佳的VO2 结晶特性;450 ℃ 保持2 h的真空退火处理可以改变薄膜成分和结构 ,使高价的 V2O5 薄膜还原到四价的VO2 ,且明显减少薄膜的氧缺陷 ,提高氧原子的含量 ,减少空洞 ,增加晶粒尺寸提高膜的致密度。 GbLuX U
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关键词：反应磁控溅射； 二氧化钒；薄膜；沉积条件
