目录 vCw<G6tD
第1章 光电信息技术物理基础 |0`hE;Kt7
1.1 光的基本性质及其度量 xJ{_qP
1.1.1 光的基本性质 v??TJ^1
1.1.2 光辐射的度量 u*3NS$vH
1.2 半导体物理基础 =;0wFwSz
1.2.1 半导体的能带 ohUdGO[/
1.2.2 热平衡载流子 hi ~}
1.2.3 非平衡载流子 "#yJHsu]
1.2.4 载流子的运动 VYZU eh
1.2.5 半导体对光的吸收 cHx%Nd\
1.2.6 半导体的pn结 nVE9^')8V
1.2.7 半导体与金属的接触 +#2)kg 9_
1.3 光辐射电效应 -KH)J
1.3.1 光电效应 Mp~y0e
1.3.2 热电效应 8)N@qUV
习题与思考题 7p.>\YtoR}
,R?np9wc
第2章 光辐射信息探测器件 _]b3,%2
2.1 光电发射型探测器件 y%S1ZTScO
2.1.1 光电发射材料 hfqqQ!,l!
2.1.2 光电倍增管的结构及原理 :_ROJ
2.1.3 光电倍增管的主要特性参数 ~. YWV
2.1.4 光电倍增管的工作电路 5;\gJf
2.1.5 光电倍增管的使用要点 [U>@,BH
2.2 半导体光电导型探测器件 9T7e\<8"vC
2.2.1 光敏电阻的结构及原理 n`ViTwd]MQ
2.2.2 几种常用的光敏电阻 S4N(cn&
2.2.3 光敏电阻的特性参数 oRM)%N#
2.2.4 光敏电阻的特点、应用及使用要点 *4S-z&,.c
2.3 半导体光伏型探测器件 hoM|P8
}rh
2.3.1 光电池 =^&%9X
2.3.2 光敏二极管 ST5V!jz
2.3.3 pin光敏二极管 (@r
`$5D.b
2.3.4 雪崩光敏二极管(apd) #*9-d/K
2.3.5 光敏三极管 .B72C[' c
2.3.6 pv器件与pc器件的区别及使用要点 `Out(Hn
2.4 半导体组合型光电探测器件 3*ixlO:qGk
2.4.1 象限探测器件 ht =P\E
2.4.2 楔环探测器件 vAb^]d
2.4.3 光电位置探测器件(psd) SJ?6{2^
2.4.4 半导体色敏探测器件 P`$!@T0=
2.4.5 光电耦合器件 0nJE/JZ
2.5 热电偶与热电堆 (xl\J/
2.5.1 热电偶 #m<tJnEO
2.5.2 热电堆 GsQ*4=C
2.5.3 热电偶与热电堆的应用及使用要点 $P z`$~
2.6 热敏电阻 aAE>)#f(
2.6.1 热敏电阻的类型、结构及原理 WIr2{+#
2.6.2 热敏电阻的特性参数 ]:(W_qEA
2.6.3 热敏电阻的参数选择、应用及使用要点 69m
;XdkKz
2.6.4 几种新型热敏电阻 5|QzU|gPn
2.7 热释电探测器件 Z[Qza13lo
2.7.1 热释电探测器件的结构与原理 %FZ2xyI.
2.7.2 热释电探测器件的类型 2I/xJ+
2.7.3 热释电器件的特性参数 %" D%:
2.7.4 热释电探测器对前置放大器的要求 *\}}Bv+9
2.7.5 热释电探测器的应用及使用要点 `B/0i A
习题与思考题 ~y HU^5D
XV3C`:b
第3章 光电成像器件 ;0rGiWC#
3.1 光电成像器件的类型与电视制式 ]z/Zq
3.1.1 光电成像器件的类型 Ub1hHA*)
3.1.2 电视扫描方式及制式 Y;4!i?el
3.2 电荷耦合器件(ccd) 3`E=#ff%
3.2.1 ccd的结构及原理 sm,VYYs
3.2.2 ccd的输入/输出及外围驱动电路 ]\-^>!F #K
3.2.3 ccd的类型 S$TmZk=
3.2.4 ccd的特性参数 G!w"{Bk?9
3.2.5 ccd的应用 2. G=8:l
3.3 cmos图像传感器 (jjTK'0[
3.3.1 cmos图像传感器的结构及原理 ?eH&'m}-
3.3.2 cmos图像传感器的特性参数 3E3U /K
3.3.3 cmos图像传感器与ccd的比较 `?T#Hl>j
3.3.4 cmos摄像器件的应用 }KUd7[s
3.4 自扫描光电二极管阵列(sspa) k.<]4iS
3.4.1 sspa的结构及原理 }%b;vzkG5
3.4.2 sspa类型、信号读出及放大电路 &