V11.4.585 =Mc]FCV
核心 F8 4LMk?U
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7S<Z&1(
已修复以下问题: h[d|y_)f
C 3`2{1
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@vf{_g<
如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 Gq5)>'D?
e W*nRha
未从设计文件中加载错误参数 Mnpb".VU#T
45`Gv
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 $jb3#Rj4
wL 5p0Xl
当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 IXp P.d
k|l"Rh<\~
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 DBi3 j
Rs;,_
无法在参数 > 性能中输入图层编号 Tr}@fa
DvnK_Q!
在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 ]3#_BL)M8p
6.tppAO+
运行表 (E)/' sEb
c4CBpi?}
ih1s`CjG
以下问题已修复: B\bIMjXV
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M3 8,SH<
&G55<tRE
芯片上的上一层并不总是正确选择。 &..![,)w^!
hD\C[C,
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De|@}@
V11.4.584 "z^Ysvw&~
核心 d; @Kz^
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:i*JlKHJd
以下问题已修复: n[WXIE<
#v-)Ie\F?
,%dn)gt7
+u_mT$|T
验证站点密钥后,不会立即更新选项。 /S9Mu
)1Y
n2-R[W^
V11.4.583 cZL"e
核心 DC*|tHl
vE?qF9I{$0
Y_PCL9G{p
以下问题已修复: I}Q3B3Byg
}W<]fK
4E3HYZ
#eE:hiu<v
目标生成器中没有回反射导数。 4$.UVW\
)." zBc#
V11.4.582 ..;LU:F
核心 $if(`8
/]]\jj#^
Q8Usyc'3
以下问题已修复: 21 cB_"
Jb $PlOQ
@c$mc
zGZe|-
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 1aYO:ZPy
;?inf`t
V11.4.581 1Sz5&jz
核心 !9iVe7V
u[ 2R>=
7F?^gMi
以下问题已修复: RWA|%/L
X+iA"B
#D//oL"u]
s'\"%~nF<
Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 94nvh:n
cx_"{`+e
V11.4.580 *N'B(j/
核心 =NJb9S&8A
shn`>=0.&
.M:,pw"S]
以下问题已修复: W,Dr2$V
aKCCFHq t!
w #(XiH*
E pM
4+
在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 "c\T
FIU(2
V11.4.579 by6E
"7%
核心 *+p'CfsSka
b@,=;Y)O
_,Fwt
添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 uc7np]Z
zi*D8!_C
z
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=Z-.4\ 3
边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 >+oQxml6nI
k )){1O
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T/S-}|fhQ
基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 :^iR&`2~
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8CEy#%7]}
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 cW&OVNj
5&