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核心 'J (4 arN
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已修复以下问题： 2t3'"8xJ
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如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 ]o <'T.x
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未从设计文件中加载错误参数 $= '_$wG
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ANNfL9:Jy
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 e7f 3dqn0
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当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 t{ \FV@R
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误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 f Z2>%IxG}
*~F\k): >
无法在参数 > 性能中输入图层编号 gdupG
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在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 A2{u("^[6
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运行表 opQ%!["N
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以下问题已修复： 12\ h| S~
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芯片上的上一层并不总是正确选择。 !/W[6'M#p
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V11.4.584
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核心 3okh'P%+
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以下问题已修复： .CI { g2
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验证站点密钥后，不会立即更新选项。 a?bSMt}
fZK&h.
V11.4.583 }D_h*9
核心 413,O~^
PtySPDClj
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以下问题已修复： {&,9Zy]"S
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X{A|{ u=
目标生成器中没有回反射导数。 P;o6rQf
SoZ$1$o2
V11.4.582 |QwX
核心 Z?k4Kb
$]IX11.m
Kh<xQ:eMy
以下问题已修复： _5 'OQ'P2
J;|r00M
ydo"H9NOS
Jh2eo+/%
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 -oo & 8
W99MA5 P
V11.4.581 r`5[6 )+P
核心 % Q:i6 ~
T|o[! @:,
lhsd 39NM
以下问题已修复： DC4,*a~
H M yw:?
[ t@
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 i$HA@S
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V11.4.580 J(+I`
核心 jE!<]
c e`3 &
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以下问题已修复： FSZQ 2* n5
|:_WdU"Q]
MxMrLiqU6l
jj^{^,z\
在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 \ a]JH\T)Q
Q+(}n z4
V11.4.579 smEKQHB
核心 d& K2\n
t5dk}sRF
\DsP '-t
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 u4QPO:,a4
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边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 KLpu7D5 (|
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基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 % _xRS
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各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 fY3 ^L"R
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