V11.4.585 =_PvrB 2'
核心 V=}1[^
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已修复以下问题： z[9UQU~x?
/IR #A%U
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Mw^ *yW
如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 <> =mCZ2
jN/ j\x'
未从设计文件中加载错误参数 8_xLl2
(oaYF+T
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 3t (c_:[%
^o d<JD4
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 'jvp Nn
Y~q b;N\
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 Fif bxL
o \ 6i q
无法在参数 > 性能中输入图层编号 ^8K/ xo-
c tI{^f:
在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 -9o{vmB{
C_->u4 -
运行表 <KQ(c`KW7
MzTW8
*Y vRNHP
以下问题已修复： x(~< t X~
NL!9U,h5|
Gv~p
z~N a-N
芯片上的上一层并不总是正确选择。 lf$Ve
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V11.4.584 V3.t; .@
核心 \dkOK`)b
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以下问题已修复： 0=![fjm
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l\Xd.H" j,
验证站点密钥后，不会立即更新选项。 *jCW.ZLY
*%A}x
V11.4.583 K
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核心 bQQVj?8jp
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J ?Iq 9f
以下问题已修复： j[e,?!8;
O# _x)13
yV]xRaRr2
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目标生成器中没有回反射导数。 FFzH!=7T?
u#j C#u^M
V11.4.582 _T*A C.
核心 ]~jN^"o_B
`s /?b|,
I3) Zr+
以下问题已修复： ?L|yaC~
p538r[f<
IZNOWX|Z;
x "\qf'{D
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 tZ 8 e`r*
G[z
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V11.4.581 3 ^}A %-bS
核心 !% S 4 n
2\@ Z5m3B
D>kD1B1
以下问题已修复： {o|k.zy
"H+,E_&(
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 ZGz| m0b (
(S9 f/i ^
V11.4.580 ,XB%\[pKe
核心 jk7 0u[\
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ct n,
]ld
以下问题已修复： TFH&(_b
S`= WF^
, 8VU&?`<}
AW8'RfC.
在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 (Hp' B))2
gH7z
V11.4.579 8r:M*25
核心 .i/m
S# we3
%SA!p;
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 Z4q~@|+%
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K* vU5S
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边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 f )NHM'
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基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 xeA#u
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gv.6h{U t
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,YLF+^w-
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 \3zj18(@8!
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