V11.4.585 8kL4~(hY
核心 is; XmF*5=
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hn )a@
已修复以下问题： S0/usC[r
jn%kG ~]'Q
E|EgB33S
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如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 :PY tR
R0U e0pF7
未从设计文件中加载错误参数 m*0,s
kY wb -;
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 b4 #R!
8y'; \(;
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 `b5 @}',
A1Y7;-D
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 u`:hMFTID
=1;=
无法在参数 > 性能中输入图层编号 9%)=`W
"VxWj}+]
在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 !LM<:kf.|
k,Qsk d-N]
运行表 F51.N{'
L #[]I,
O;Y:uHf
以下问题已修复： Q />L_S
I8Vb-YeS
#_
C
@JkK99\(>9
芯片上的上一层并不总是正确选择。 ;,'igdold
1t[j"CG(o
._:nw=Y0<}
(Wl IwKP
V11.4.584 V:NI4dv/R
核心 #%3rTU
-ZOBAG*
H&}ipaDO
以下问题已修复： p4u5mM
qAkx<u
E N^Uki`
$gle8Z-
验证站点密钥后，不会立即更新选项。 u~zs*
qp
yI{5m^s {
V11.4.583 ^D67y %
核心 DrW#v-d
`Kl`VP=c
=TvzS%U
以下问题已修复： 4B+9z^oQ
vdoZ&Tu
[t]X/O3<
R!
s6% :Yg
目标生成器中没有回反射导数。 #S g\q8(O
v`q\6i[-
V11.4.582 RH;:9_* F
核心 0p e3L
2N c>6
hm bj*8
以下问题已修复： \6|/RFT
%Tn #-
?z-}>$I;
LS>G4
]
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 =/Aj
XV>JD/K2
V11.4.581 ER&UBUu"
核心 4R +.N
o;F" {RZ
H/F+X?t$0
以下问题已修复： +~Cy$M CX
U$&hZ_A
DR 9: _
= V +I=rqo
Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 /BKe+]dS*
n;XWMY
V11.4.580 }71LLzG`/
核心 ` r Y2up#%
jLg@ FDb~
["<nq`~
以下问题已修复： OV CR0
y9Y 1PH7G
[^H"FA[
UnWW/]E
在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 r~[vaQQ6L
$e%2t^ i.g
V11.4.579 Hq &"+1F
核心 4NVV5_K a
JEn3`B!*
6Q|k7*,B
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 3ucP(Ex@tg
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R_P}~l
边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 K5Wg"^AHY/
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基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 z|R ,& ~:
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p(SRjQt
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各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 H2gj=krK
+y+"Fyl
