V11.4.585 I+ es8
核心 DfV~!bY
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已修复以下问题: lpRR&
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G&;j6<h l
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如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 lQfL3`X!
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未从设计文件中加载错误参数 H'MJ{r0,
X[2[!)Rk
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 7 ~ztwL
Z_gC&7+
当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 k'$!(*]\b
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误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 N)S!7%ne
p'sc0@}_O
无法在参数 > 性能中输入图层编号 }pa9%BQI
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在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 w'X]M#Q><
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运行表 UZEI:k,dv
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以下问题已修复: &TG5rUUg
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n,~;x@=5
芯片上的上一层并不总是正确选择。 .D4bqL
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V11.4.584 0t#g}
核心 F?m?UQS'u
T@%m7 |P
N~pIC2Woo
以下问题已修复: }X;U|]d
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KQ'49I
Y${l!+q
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验证站点密钥后,不会立即更新选项。 T\VNqs@
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V11.4.583 \n9A^v`F/
核心 y[O-pD`
JaWv]@9*
w62=06`@
以下问题已修复: DWt*jX *
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<Fs-3(V+\
JK#vkCkyM
目标生成器中没有回反射导数。 m}$+Hdk+7
9Q W&$n^
V11.4.582 69kJC/1+l
核心 <B /5J:o<
o2-@o= F
^*R(!P^
以下问题已修复: 4z:#I;
rZ_>`}O2
oK+
WF
E?PGu!&u
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 JO@Bf
)[&_scSa
V11.4.581 +TeFt5[)h
核心 ZX
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Wv!<bT8r
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以下问题已修复: DhI>p0* T
g"Qh]:
pz_e =xr
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 =A[5=
k>
ly4Qg\l
V11.4.580 V'Qn sI
核心 o%M<-l"!/
AB.(CS=i
Z\>, ),O
以下问题已修复: iO!6}yJ*V
77gysd\(
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j<tq1?? [b
在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 z&nZ<ih
ARh6V&Hi-
V11.4.579 ;n#%G^!H
核心 a0Oe:]mo\
E@QA".
0? Yz]+{C
添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 5b#QYu
lx,`hl%
Az*KsY{/r
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边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 ;5|1M8]=0
H*e'Cs/
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基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 ((DzUyK
Q]JX`HgPaU
HV]Ze>}
8IY19>4'5J
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 BQgoVnQo_c
LhJ a)jFQ