V11.4.585 ->K*r\T
核心 Ov?k4kJ
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已修复以下问题: <A"}Krq?
193Q
7CM<"pV
Bv!j.$0d{
如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 aSKI%<?xN
`sJkOEc`
未从设计文件中加载错误参数 |910xd`Z
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F3x
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 tR0o6s@v/<
QXgh[9wG
当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 gZ/M0px
0P%(4t$pd
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 h7I_{v8
]hL 1qS
无法在参数 > 性能中输入图层编号 N55;oj_K
oDM}h
+
在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 XP6R$0yN
K.b-8NIUW
运行表 k gWF@"_
Wx;9N
S37Bl5W
以下问题已修复: (K^9$w]tf
G~u94rw|:
&``;1/J*W
N7}.9%EV
芯片上的上一层并不总是正确选择。 }& `#
0(:"q!h
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p4HX83y{
V11.4.584 c%Kv"Z%f
核心 C!RxMccTh
YG"P:d;s
XSn^$$S
以下问题已修复: sT'wps 2
_%z)Y=Q
\W}?4kz
73 D|gF*
验证站点密钥后,不会立即更新选项。 !u>29VN
p24sWDf
V11.4.583 @6}c\z@AxM
核心 "%-HZw%X
2vu"PeU9
o&fAnpia=
以下问题已修复: c i_XcG
zSj.Y{J
gWv/3hWWB
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目标生成器中没有回反射导数。 l J;wl|9
WI](a8bm
V11.4.582 =>4>Z_q
核心 )Xl/|YD
}!lLA4XRr
tJ bOn$]2"
以下问题已修复: j}#48{
<P(d%XEl
EX=+TOkAf
Yf7n0Etd,
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 9\R:J"X
o/2\8
V11.4.581 eIg '
!8h?
核心 L8TT54fM
%7/XZQ
ZRsDn
以下问题已修复: P/,7CfyPd
:-ax5,J> q
Bx j6/a7Xd
g@`14U/|
Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 CZxQz
]J5[ZVz
V11.4.580 Ep.,2H
核心 e7>)Z
/vD5C
=@G#c5H*
以下问题已修复: Ajs<a(,6
m/cbRuPWgP
)PB&w%J
@@'zMV%
在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 T5Sa9\`>
eP(%+[g
V11.4.579 2:&8FdU
核心 lk1c2
~pX&>v\T
Haaungb"
添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 QKE$>G
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P4
边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 &