V11.4.585 xWV_Do)z
核心 #<?j784
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已修复以下问题: lID5mg31
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如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 3FS:]|oC
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未从设计文件中加载错误参数 Ya>cGaLq
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多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 #S1)n[
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当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 }b0qrr
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误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 eR3!P8t
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无法在参数 > 性能中输入图层编号 zKI(yC
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在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 myXp]=Sb?
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运行表 SR\#>Qwx_
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以下问题已修复: "7gHn0e>
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b9:E0/6
芯片上的上一层并不总是正确选择。 LtNG<n)_BH
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以下问题已修复: 6)H70VPJ
txliZ|.O
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验证站点密钥后,不会立即更新选项。 6 C
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V11.4.583 ,. E:mm
核心 esxU44
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以下问题已修复: AR)&W/S)7,
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目标生成器中没有回反射导数。 <6Br]a60RR
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V11.4.582 JP[BSmhAV
核心 qA*QFQ'-
,Kdvt@vle
\ar.(J
以下问题已修复: & {B,m%G
cT."
#p\sw
,A_itRHH
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 _{-GR -
jb77uH_
V11.4.581 Th@L68
核心 {KODwP'~
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以下问题已修复: |QXW$
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 &oNy~l
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V11.4.580 +dR$;!WB3
核心 v!40>[?|p
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以下问题已修复: =@B9I<GKf
u},<On
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在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 KWU#Swa`
XnV|{X%]U
V11.4.579 (\M&/X~q
核心 >WG$!o +R
} fSbH
!)
LMn
添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 `N2zeFG
.rax`@\8
0I079fqk<
W0l|E&fj[
边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 1<pbO:r
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7?B]X%
Ks9"U^bPs
基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 b\H~Ot[i
5(TI2,4
KJJ8P`Kx
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各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 fE7[Sk
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