V11.4.585 *C$
W^u5h
核心 aaLT%
p 5P<3(
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已修复以下问题： cd \0
6%:N^B=%}
z 55P~p
@dGj4h.
如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 p!173y,nL
r6"t`M
未从设计文件中加载错误参数 H$Q_K<V
9"&HxyOfX
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 |XPT2eQ{
qL(Qmgd
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 kZfO`BVL
gzxLHPiw
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 lr=*Ty(V
D/rKqPp|!
无法在参数 > 性能中输入图层编号 zcDVvP
{=pf#E=
在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 *Z Aue.
(C1]R41'
运行表 PbCXcs
R:-^,/1
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以下问题已修复： ji:JLvf]%
"|(+~ 8[
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芯片上的上一层并不总是正确选择。 C}%g(YRhb
X]M)T
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V11.4.584 1: XT r
核心 NJwcb=*
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^|(F|Z
以下问题已修复： Z#%4QIz ?
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[*Wq 6n
验证站点密钥后，不会立即更新选项。 :k#Y |(
R=xT \i{4h
V11.4.583 V_$ BZm%8J
核心 vaW, O/F
&dH/V-te
}]'Z~5T
以下问题已修复： ]W]o6uo7
8 W79
"o+<
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目标生成器中没有回反射导数。 vg5i+ry<
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V11.4.582 ML9ZS
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核心 B~G ?&"]
:D""c*
!X*+Ct^
以下问题已修复： \GO^2&g (
VE`5bD+%e
7o-umZ}8
YAYPof~A$l
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 T8bk \\Od
7jQ Owzj
V11.4.581 ]6bh #N;.
核心 !?,7Cu.5#6
Tu"bbc
tURjIt,I
以下问题已修复： 9nN$%(EO5;
qcSlqWDk
E_[|ZrIO&*
0 z1m!tr
Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 &`Oj<UyJY
|4^us|XY
V11.4.580 7o_1PwKS6
核心 R*|y:T,H
M_lQ^7/
N_Q)AXr)
以下问题已修复： P MV;A{T
K%h9'}pq>1
FrT .<3
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在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 E!n EB(FD
Vb yGr~t
V11.4.579 Aq nDsr!
核心 GrPKJ~{6
dCc"Qr[k
}t JR Bb
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 .$&mWytw=
j Gy%O3/
M m7;'Zbg
v<C Z.-r\j
边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 cetHpU ,
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tQ~vLPi$
基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 WRrCrXP
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+U 9m
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 w1U2cbCr/
E0HXB1"
