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核心 KV Mm<]Z
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已修复以下问题： y'{0|Xj
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如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 x.!%'{+ {
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未从设计文件中加载错误参数 ' y1=Z
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多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 2x0[@cT i?
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当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 hC,EO&
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误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 ?me0J3u_
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无法在参数 > 性能中输入图层编号 \ qK h9
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在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 >% t"VpvR
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运行表 XfharJ_b
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以下问题已修复： =*fOej>G
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芯片上的上一层并不总是正确选择。 yi
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V11.4.584 wP29 xV"5
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以下问题已修复： u.43 b8!
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验证站点密钥后，不会立即更新选项。 Xf(H_&K
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V11.4.583 +/E`u|%|\]
核心 RG4T9eZq
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以下问题已修复： yz.a Z
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目标生成器中没有回反射导数。
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V11.4.582 #l2 KJ7AMK
核心 +es|0;Z4yP
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以下问题已修复： ?>
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^26 vP7
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 e*K1";
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V11.4.581 !X5n'1&
核心 I 8M^]+c
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以下问题已修复： NFsj
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 x :dI :G
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V11.4.580 3;v%78[&P
核心 n06T6o c
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以下问题已修复： pd%h5| *n;
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在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 u?xXZ]_u-
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V11.4.579 Ynxzkm S
核心 J A!?vs
e: `d) GE
%0&c0vT
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 9S<g 2v
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边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 `%@| sK2
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基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。
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各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 p Xap<T
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