美国哈佛大学和英国利兹大学的一个联合研究小组最近演示了一种新型太
赫兹半导体激光器,其发射的太赫兹光波准直性能与传统太赫兹
光源相比显著改善。该
激光器的研发成功,为太赫兹科技的应用打开了更广阔的领域。哈佛已经为此提交了一系列专利申请。这一进展发布在8月8日的《自然·材料》杂志上。
_5Bu [I )~G8 L Z 新型太赫兹激光器突破了传统材料的限制,研究人员刻了一组亚
波长光栅,直接加倍了超材料晶面的光流量,设备以3太赫兹(百亿赫兹)的频率发射
光线(波长为100微米,在可见
光谱中属于远红外线),大大降低了这些半导体激光器的散射角度,同时保持了光能的高输出功率。
&