目前国内的功率半导体的现状到底如何，和国外比较还有什么差距。为了更好的解答，半个月来，笔者和相关领导、业内专家、业界人士进行了交流，本博文将就国内的功率半导体的现状到底如何分析如下。 "TE F
W| h~&O
应该说，在中国半导体产业发展过程中，半导体分立器件的作用长期以来都没有引起人们足够的重视，政府的投入也很少，发展速度远远滞后于集成电路。 V,:^@ 7d
n]:Xmi8p
国内分立器件厂商的主要产品以硅基二极管、三极管和晶闸管为主，目前国际功率半导体器件的主流主品功率MOS器件只是近年来才有所涉及，且主要为平面栅结构的VDMOS器件，IGBT还处于研发阶段。宽禁带半导体器件主要是以微波功率器件（SiCMESFET和GaNHEMT）为主，尚未有针对市场应用的宽禁带半导体产品器件的产品研发。 UtPFkase
Y1fcp _]m
从功率半导体的产品分类来说 U|SF;T
.
C'$w*^me
1.普通二极管、三极管国内的自给率已经很高，但是在高档的功率二极管，大部分还依赖进口，国内的产品性能还有不小的差距。 hS&3D6G t
4FrP%|%E~
2.晶闸管类器件产业成熟，种类齐全，普通晶闸管、快速晶闸管、超大功率晶闸管、光控晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、高频晶闸管都能生产。中国南车集团现在可以生产6英寸、4000A、8500V超大功率晶闸管，居世界领先水平，已经在我国的机车上大量使用，为我国的铁路现代化建设做出了贡献。 N c;cb
BV)o F2b:
3.在功率管领域，逐步有国内的企业技术水平上升到MOS工艺，MOSFET的产业有一定规模，进入21世纪后，这类器件的产品已批量进入市场，几十安培、200V的器件在民用产品上获得了广泛应用，进口替代已然开始。 0x BO5[w,Y
%PA#x36
4.IGBT、FRD已经有所突破，FRD初见规模。IGBT从封装起步向芯片设计制造发展，从PT结构向NPT发展，沟槽工艺正在开发中。IGBT产品进入中试阶段， kq|(t{@Rp
@'n07 5)h
5.在电源管理领域，2008年前十名都见不到国内的企业。 X<G"Ga L
SFqY*:svOw
从功率半导体产业链来说 "[h9hoN
R(p`H}^
1.设计：国内IGBT还处于研制阶段，还没有商品化的IGBT投入市场，我国IGBT芯片的产业化道路比较漫长。目前国内的民营和海归人士设立的公司已经研发出了低端的IGBT产品，如常州宏微、嘉兴斯达。南车集团就不说了。 {<ms;Oi'
H.ha}0 J
2.制造：IGBT对于技术要求较高，国内企业还没有从事IGBT生产。考虑到IP保护以及技术因素的限制，外资IDM厂商也没有在国内进行IGBT晶圆制造和封装的代工。目前华虹NEC和成芯的8寸线、华润上华和深圳方正的6寸线均可提供功率器件的代工服务。 N)yCGo
]90BIJ]*c
3.封装：我国只有少数企业从事中小功率IGBT的封装，而且尚未形成规模化生产，在IGBT芯片的产业化以及大功率IGBT封装领域的技术更是一片空白。
>s dT=6v
Gbj^o o
从功率半导体工艺发展来说 0b=1Ce+0q
(|O9L s7N
1.BCD工艺已从无到有，从低压向高压发展，从硅基向SOI基发展。 ($QQuM =
RvQa&r5l
2.从封装起步向芯片设计制造发展，从PT结构向NPT发展，沟槽工艺正在开发中。 7s lpj8
7 pPaHX8
（文章转载于网络，作者未知，若有不妥，请告知！）
