真空镀膜技术,作者:张以忱

《真空镀膜技术》共分10章，系统地阐述了真空镀膜技术的基本慨念和基础理论、各种薄膜制备技术、设备及工艺、真空卷绕镀膜技术、ITO导电玻璃真空镀膜工艺，尤其重点介绍了一些近年来新出现的镀膜方法与技术，如反应磁控溅射镀膜技术、中频磁控溅射镀膜和非平衡磁控溅射镀膜技术等；还详细介绍了薄膜沉积及膜厚的监控与测量以及表面与薄膜分析检测技术等方面的内容。 "T0s7LWp  
《真空镀膜技术》具有很强的实用性，适合于真空镀膜行业、薄膜与表面应用、材料工程、应用物理以及与真空镀膜技术有关的行业从事研究、设计、设备生产操作与维护的技术人员，也适用与真空镀膜技术相关的实验研究人员和学生，还可用作大专院校相关专业师生的教材及参考书。 `:y
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1 薄膜与表面技术基础理论 .*_uXQ  
1．1 概述 <f+
9wuZ  
1．2 固体表面介绍 PW)Gd +y  
1．2．1 固体材料 d>OLnG> F  
1．2．2 固体表面与界面的基本概念 6Rcl HU  
1．2．3 固体表面与界面的区别 FvTc{"w /  
1．3 表面晶体学 t=B>t S.hO  
1．3．1 金属薄膜的晶体结构 E Qn4+  
1．3．2 理想的表面结构 $T%~t@Cv1  
1．3．3 表面与体内的差异 *W&}}iL  
1．3．4 青洁表面结构 Yj-JB  
1．3．5 实际表面结构 G:k]tZ*`  
1．4 表面特征(热)力学 (s?Rbd  
1．4．1 表面力 c"H59 j
E  
1．4．2 表面张力与表面自由能 7%g8&d  
1．4．3 表面扩散 xLp<G(;  
1．5 表面电子学 )!tqock*v  
1．5．1 金属薄膜中的电迁移现象 KDQqN]rg  
1．5．2 曾强薄膜抗电迁移能力的措施 /%4wm?(eA  
1．6 界面与薄膜附着 L2GUrf  
1．6．1 界面层 $MPh\T  
1．6．2 附着及附着力 LFHzd@Y7
"  
1．6．3 固体材料表面能对附着的影响 c@&-c[k^W  
1．6．4 表面、界面和薄膜的应力 Mb0l*'ZF  
1．6．5 增强薄膜附着力的方法 `$hna{e^n  
1．7 金属表面的腐蚀 Q(gc(bJV  
1．7．1 电化学腐蚀 QhqXd  
1．7．2 金属的钝化 T)Ohk(jK1  
1．7．3 全面腐蚀 &R7N^*He  
1．7．4 局部腐蚀 =}h8Cl{H/  
pA|Z%aL  
2 真空蒸发镀膜 8:QnxrODP  
2．1 概述 Cvk n2T  
2．2 真空蒸发镀膜原理 #Y9'n0 AL  
2．2．1 真空蒸发镀膜的物理过程 J/ !Mt  
2．2．2 蒸发过程中的真空条件 &Ub0o2+y  
2．2．3 镀膜过程中的蒸发条件 n>|7 k3  
2．2．4 残余气体对膜层的影响 RqnT*  
2．2．5 蒸气粒子在基片上的沉积 miCW(mbO8  
2．3 蒸发源 ;3 |Z}P  
2．3．1 电阻加热式蒸发源 eq<giHJM  
2．3．2 电子枪加热蒸发源 PRo;NE  
2．3．3 感应加热式蒸发源 ud}B#{6  
2．3．4 空心热阴极电子束蒸发源 XC NM  
2．3．5 激光加热蒸发源 ImnN&[Cu  
2．3．6 电弧加热蒸发源 f:)%+)U<Xm  
2．4 特殊蒸镀技术 Ny oRp  
2．4．1 闪蒸蒸镀法 SA1|7  
2：4．2 多蒸发源蒸镀法 O,>`#?  
2．4．3 反应蒸镀法 'c")]{  
2．4．4 三温度蒸镀法 c/bIt  
4Z"JC9As  
3 真空溅射镀膜 h4\j=Np  
3．1 溅射镀膜原理 EoOB0zo}Y+  
3．1．1 溅射现象 &1k2J   
3．1．2 溅射机理 a`:ag~op@&  
3．2 溅射沉积成膜 U:[#n5g  
3．2．1 溅射源 _#2AdhCu  
3．2．2 溅射原子的能量与角分布 OB&l
q.r  
3．2．3 溅射产额与溅射速率 ED>T2.:{  
3．2．4 合金和化合物的溅射 l'#P:eW  
3．2．5 溅射沉积成膜 fQtV-\Bc  
3．2．6 薄膜的成分与结构 r'C(+E (  
3．2．7 各种粒子轰击效应 *;]j#0  
3．2．8 溅射沉积速率 /N'|Vs,X  
3．2．9 薄膜厚度均匀性和纯度 |x[zzx# >-  
3．3 溅射技术概述 kOycS  
3．4 直流二极溅射 H%AF,  
3．5 直流三极或四极溅射 a/(IvOy#6  
3．6 磁控溅射 AzwG_XgM)  
3．6．1 磁控溅射工作原理 MK*WStY  
3．6．2 磁控溅射镀膜的特点 -5_[m@Vr  
3．6．3 磁控溅射镀膜工艺特性 ;g M$%!&  
3．6．4 平面磁控溅射靶 p` '8M  
3．6．5 圆柱形磁控溅射靶 u\,("2ZW9+  
3．6．6 传统平面磁控溅射靶存在的问题 ^{vf|zZ _  
3．7 射频(RF)溅射 :W++`f&  
3．7．1 射频溅射镀膜原理 Ul41RNy)  
3．7．2 射频辉光放电特性 ;is*[r\|1  
3．7．3 射频溅射装置 ebuR-9  
3．8 非平衡磁控溅射 @H?_x/qBT  
3．8．1 非平衡磁控溅射原理
_ zh>q4M  
3．8．2 非平衡磁控溅射与平衡磁控溅射比较 <Fc @T4Q,  
3．8．3 建立非平衡磁控系统的方法 0A7 qO1%xw  
3．8．4 非平衡磁控溅射系统结构形式 H /kSFf{  
3．8．5 非平衡磁控溅射的应用 ^3qo%=i  
3．9 反应磁控溅射 :=I@<@82W  
3．9．1 反应磁控溅射的机理 6jGPmOM/  
3．9．2 反应磁控溅射的特性 v@8=u4  
3．9．3 反应磁控溅射工艺过程中的主要问题 f8m%T%]f  
3．9．4 解决反应磁控溅射工艺运行不稳定的措施 r-ldqj  
3．10 中频交流反应磁控溅射 kCq]#e~wq  
3．10．1 中频交流反应磁控溅射原理 \8I>^4t'/  
3．10．2 中频双靶反应磁控溅射的特点 .Y?/J,Ch  
3．10．3 中频磁控靶结构形式 [ NSsT>C  
3．10．4 中频磁控靶PEM控制 7xmyjy%c  
3．11 非对称脉冲溅射 d_0r  
3．12 合金膜的溅射沉积 w# t[sI"IT  
3．13 铁磁性靶材的溅射沉积 7:Jyu/*]  
3．13．1 磁控溅射铁磁性靶材存在的问题 h7EKb-@  
3．13．2 磁控溅射铁磁性靶材的主要方法 {APsi7HYBr  
3．14 离子束溅射 |kUxTe  
0S{dnp  
4 真空离子镀膜 ZW]Q|vPh4U  
4．1 离子镀的类型 !+E|{Zj  
4．2 真空离子镀原理及成膜条件 ]G0`W6;$]  
4．2．1 真空离子镀原理  QTN _Z#'  
4．2．2 真空离子镀的成膜条件 q=M\#MlL0'  
4．3 等离子体在离子镀膜过程中的作用 Y
[A`r0  
4．3．1 放电空间中的粒子行为 6Q&*V7EO  
4．3．2 离子镀过程中的离子轰击效应 gZ5E%']sT  
4．4 离子镀中基片负偏压的影响 NW.<v /?=,  
4．5 等离子镀的离化率与离子能量 
S_z}h  
4．5．1 离化率 m]bv2S+5y  
4．5．2 中性粒子和离子的能量 G%a8'3d,  
4．5．3 膜层表面的能量活化系数 %'}L.OvG  
4．6 离子镀膜工艺及其参数选择
k \|[=  
…… Z=ayVsJ3  
5 真空卷绕镀膜 *3yeMxa  
6 化学气相沉积CVD技术 o8:K6y  
7 离子注入与离子辅助沉积技术 YHVJg?H3  
8 ITO导电玻璃镀膜工艺 6AZJ,Q\E@  
9 薄膜厚度的测量与监控 v;E7UL .w  
10 表面与薄膜分析检测技术 d(>7BV  
参考文献 .b4_O CGg  
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