切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 2765阅读
    • 2回复

    [分享]LED照明技术原理解析 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线我来也
     
    发帖
    452
    光币
    2660
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2009-05-15
    LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。 otSF8[  
    Jz Z9ua  
    假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 QU%'z/dip  
    u4,b%h.  
    理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm),式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
     
    分享到
    离线zhangpeijin
    发帖
    70
    光币
    15
    光券
    0
    只看该作者 1楼 发表于: 2016-05-29
    学习学习!
    离线故里
    发帖
    14
    光币
    71
    光券
    0
    只看该作者 2楼 发表于: 2019-10-15
    了解了